[发明专利]自对准沟槽MOSFET接触件的系统和方法在审
| 申请号： | 202010395594.6 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN112086511A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 相馬充;正博新保;正樹藏前;耕平内田 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 沟槽 mosfet 接触 系统 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
硅基板，所述硅基板包括表面；
栅极电极，所述栅极电极形成于栅极沟槽中，所述栅极沟槽从所述表面延伸到所述基板中；
沟道区，所述沟道区与所述栅极电极相邻，所述沟道区包括非均匀沟道掺杂剂分布；
源极区，所述源极区在所述表面和所述沟道区之间与所述栅极电极相邻，所述源极区包括非均匀源极掺杂剂分布；
绝缘体层，所述绝缘体层形成于所述基板上方；和
源极接触件，所述源极接触件延伸穿过所述绝缘体层，其中所述源极接触件包括小于针对处理能力的最小光刻极限的宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟道掺杂剂分布包括弯曲分布，其中所述源极接触件正下方的掺杂剂浓度低于远离所述源极接触件的掺杂剂浓度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极掺杂剂分布包括弯曲分布，其中所述源极接触件正下方的掺杂剂浓度低于远离所述源极接触件的掺杂剂浓度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极接触件与所述栅极电极自对准。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，包括小于200nm的Si台面宽度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，包括小于100nm的栅极沟槽宽度。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极接触件延伸穿过所述源极区并接触所述沟道区。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，包括主体区的宽度与所述源极区的宽度的大于二的比率。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，包括在与来自所述栅极沟槽的所述沟道相反定位的附加栅极沟槽中形成的附加栅极电极。
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