[发明专利]一种半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括单元区，所述单元区包括第一组合区和与所述第一组合区中心对称的第二组合区，所述第一组合区和所述第二组合区均包括沿第一方向延伸的第一延伸区、第二延伸区和第三延伸区，所述第二延伸区和所述第三延伸区在第二方向上位于所述第一延伸区两侧，所述第二方向与所述第一方向垂直；

在所述第一组合区和所述第二组合区上，形成位于所述第一延伸区和所述第二延伸区之间的传输栅极结构、以及位于所述第一延伸区和所述第三延伸区之间的拉栅极结构；在所述基底上形成覆盖所述传输栅极结构和所述拉栅极结构的介质层；

在所述第一组合区和所述第二组合区的部分所述介质层上形成第一阻隔层，各所述第一阻隔层覆盖所述单元区边缘的所述第一延伸区并延伸至所述第二延伸区上；

在所述第一组合区和所述第二组合区的交界处，形成覆盖所述第一延伸区上部分所述介质层的第二阻隔层；

以所述第二阻隔层为掩模，在所述第二阻隔层两侧的所述介质层中形成位于所述拉栅极结构上的第一栅接触开口；

以所述第一阻隔层和所述第二阻隔层为掩模在所述介质层中形成位于所述第一延伸区上的第一插塞开口；

形成所述第一栅接触开口和所述第一插塞开口之后，去除所述第二阻隔层；

去除所述第二阻隔层之后，在所述介质层中形成位于所述第二延伸区和所述第三延伸区上的第二插塞开口，在所述介质层中形成位于所述传输栅极结构上的第二栅接触开口。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：

去除所述第二阻隔层之后，在所述第一组合区和所述第二组合区上均形成第三阻隔层和第四阻隔层,所述第三阻隔层位于所述第二延伸区的部分所述介质层上,所述第四阻隔层位于所述第三延伸区的部分所述介质层上；

以所述第一阻隔层、所述第三阻隔层和所述第四阻隔层为掩模，在所述介质层中形成位于所述第二延伸区和所述第三延伸区上的所述第二插塞开口；

形成所述第二插塞开口之后，去除所述第一阻隔层、所述第三阻隔层和所述第四阻隔层。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：去除所述第一阻隔层、所述第三阻隔层和所述第四阻隔层之后，在所述介质层中形成位于所述传输栅极结构上的所述第二栅接触开口。

4.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述第三阻隔层和所述第四阻隔层之后，以所述第一阻隔层为掩模在所述介质层中形成位于所述传输栅极结构上的所述第二栅接触开口；形成所述第二栅接触开口之后，去除所述第一阻隔层。

5.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：以所述第一阻隔层为掩模在所述介质层中形成位于所述传输栅极结构上的所述第二栅接触开口；形成所述第二栅接触开口之后，去除所述第一阻隔层、所述第三阻隔层和所述第四阻隔层。

6.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第三阻隔层还延伸至所述第一延伸区的部分所述介质层上，所述第四阻隔层还延伸至所述第一延伸区的部分所述介质层上。

7.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述第二栅接触开口和所述第二插塞开口之后，且在去除所述第一阻隔层、所述第三阻隔层和所述第四阻隔层之后，在所述第一插塞开口中形成第一插塞，在所述第一栅接触开口中形成第一栅插塞，在所述第二插塞开口中形成第二插塞，在所述第二栅接触开口中第二栅插塞。

8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第三阻隔层和所述第四阻隔层之前，在所述第一插塞开口中形成第一牺牲层，在所述第一栅接触开口中形成第二牺牲层；在所述第二插塞开口中形成第三牺牲层；形成所述第二栅接触开口之后，在形成所述第一插塞、所述第一栅插塞、所述第二插塞和所述第二栅插塞之前，去除所述第一牺牲层、所述第二牺牲层和所述第三牺牲层。