[发明专利]一种SnS2 在审
申请号: | 202010395779.7 | 申请日: | 2020-05-12 |
公开(公告)号: | CN111450813A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 陈艮 | 申请(专利权)人: | 陈艮 |
主分类号: | B01J21/18 | 分类号: | B01J21/18;B01J23/50;B01J27/04;B01J27/24;B01J35/04;B01J35/08;B01J37/10;B01J35/10;C02F1/72;C02F1/30;C02F101/38;C02F101/36;C02F101/34;C02F101 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 sns base sub | ||
本发明涉及光催化降解技术领域,且公开了一种SnS2‑g‑C3N4异质结光催化降解材料,包括以下配方原料及组分:蜂窝状Ag掺杂g‑C3N4、碳纳米管、四氯化锡、巯基乙酸、十六烷基三甲基溴化铵。该一种SnS2‑g‑C3N4异质结光催化降解材料,蜂窝状Ag掺杂g‑C3N4,具有丰富孔隙结构,比表面积巨大,Ag掺杂使g‑C3N4的光吸收边发生红移,增强了光催化剂对光能的响应性和利用率,纳米SnS2空心微球修饰碳纳米管沉积在Ag掺杂g‑C3N4的丰富孔隙结构和巨大的比表面上,形成异质结结构,碳纳米管在SnS2和Ag掺杂g‑C3N4之间形成三维导电网络,协同作用下促进了光生电子和空穴的分离,产生大量的光生电子和空穴,生成活性极强的超氧自由基和羟基自由基,进行有机污染物降解过程。
技术领域
本发明涉及光催化降解技术领域,具体为一种SnS2-g-C3N4异质结光催化降解材料及其制法。
背景技术
水污染成为目前全球最严重的环境污染问题之一,水污染来源主要有未经处理而排放的工业废水、生活污水和农田无水等,污染物主要有无机污染物,如酸、碱、无机盐,包括铜、镉、汞等重金属离子;有机污染物主要有芳香化合物、卤化物、碳水化合物、蛋白质等,有机污染物被微生物分解时会消耗水中的溶解氧,影响水生生物的生殖代谢过程,当水中的溶解氧耗尽后,有机物进行厌氧分解,产生硫化氢、硫醇等有毒气体,使水质进一步恶化,其中含有芳香环的有机染料污染物如亚甲基蓝、橙黄ΙΙ、罗丹明B等毒性很大,在水体环境中很难被生物降解,严重危害了水生生物,污染了水体环境。
目前对于有机染料废水处理方法主要有物理絮凝法、化学氧化法、膜分离法、离子交换和吸附法等,其中光催化降解是一种新型高效的水污染处理方法,通过光辐射在光催化剂上,在反应体系中产生的光生电子和空穴,以及活性极强的自由基,再与有机污染物进行的加成、取代等反应,将污染物降解为无毒、低毒的小分子或无机物,光催化剂主要有TiO2半导体材料、CdS、MoS2、SnS2等过渡金属硫化物、BiOBr、BiFeO3等铋基金属催化剂等,其中石墨相氮化碳g-C3N4,化学性质稳定性,制备方法简单,污染较小,具有独特的电子能带结构,具有一定的光化学活性,在光催化分解水产氢和光催化降解污染物等方面具有广泛的研究,但是g-C3N4的比表面积不高,并且光吸收范围较窄,只有在440-475nm可见光波段范围才具有光化学活性,对光能的利用率很低,并且g-C3N4产生的光生电子和空穴很容易复合,大大降低了g-C3N4催化剂的光化学活性和降解效率。
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种SnS2-g-C3N4异质结光催化降解材料及其制法,解决g-C3N4的比表面积不高,光吸收范围较窄的问题,同时解决了g-C3N4的光生电子和空穴很容易复合的问题。
(二)技术方案
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