[发明专利]用于静电防护的晶体管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种用于静电防护的晶体管结构，其特征在于，包括：

衬底；

形成于所述衬底上部的漂移区；

形成于所述衬底表面的多个场氧化层；

形成于所述衬底上部的第一P型阱区；

形成于所述漂移区上部的依次隔开的第一N型阱区、第二P型阱区和第二N型阱区；

形成于所述衬底表面上的且覆盖部分所述第一P型阱区的多晶硅层；

形成于所述第一P型阱区中的第一P+区域和第一N+区域；以及

分别形成于所述第一N型阱区和所述第二N型阱区中的第二P+区域和第二N+区域，

其中，所述晶体管结构还包括形成与所述第一N型阱区和所述第二N型阱区之间的第三P型阱区；

所述第一P+区域、所述第一N+区域和所述多晶硅层相连接，其连接端作为所述晶体管结构的阴极；

所述第二P+区域和所述第二N+区域相连接，其连接端作为所述晶体管结构的阳极。

2.根据权利要求1所述的用于静电防护的晶体管结构，其特征在于，所述第二P型阱区与所述第三P型阱区位于同一竖直方向，且所述第二P型阱区与所述第三P型阱区的深度不同、宽度不同。

3.根据权利要求1所述的用于静电防护的晶体管结构，其特征在于，所述第一P+区域嵌入于所述第一N+区域中。

4.根据权利要求3所述的用于静电防护的晶体管结构，其特征在于，所述第一P+区域的版图形状为圆形。

5.根据权利要求1所述的用于静电防护的晶体管结构，其特征在于，所述漂移区为浅掺杂的N型区域。

6.根据权利要求1所述的用于静电防护的晶体管结构，其特征在于，所述多个场氧化层包括形成于所述第一P+区域和所述第二P+区域之间的第一场氧化层，以及形成于所述第二P+区域和所述第二N+区域之间的第二场氧化层。

7.一种用于静电防护的晶体管结构的制造方法，其特征在于，包括：

形成衬底；

在所述衬底上部形成漂移区；

在所述衬底表面形成多个场氧化层；

形成位于所述衬底上部的第一P型阱区；

形成位于所述漂移区上部的依次隔开的第一N型阱区、第二P型阱区和第二N型阱区；

形成位于所述衬底表面上且覆盖部分所述第一P型阱区的多晶硅层；

形成位于所述第一P型阱区中的第一P+区域和第一N+区域；以及

分别形成位于所述第一N型阱区和所述第二N型阱区中的第二P+区域和第二N+区域；

电连接所述第一P+区域、所述第一N+区域和所述多晶硅层，形成所述晶体管结构的阴极；

电连接所述第二P+区域和所述第二N+区域，形成所述晶体管结构的阳极，

其中，所述制造方法还包括形成位于所述第一N型阱区和所述第二N型阱区之间的第三P型阱区。

8.根据权利要求7所述的用于静电防护的晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述第二P型阱区与所述第三P型阱区位于同一竖直方向，且所述第二P型阱区与所述第三P型阱区的深度不同、宽度不同。

9.根据权利要求7所述的用于静电防护的晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述第一P+区域的版图形状为圆形，且所述第一P+区域嵌入于所述第一N+区域中。