[发明专利]一种TFT结构的制作方法

权利要求书

1.一种TFT结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：

制作第一金属层、第一绝缘层和侧壁有源层结构，所述第一金属层的底面与基板上表面平行，所述侧壁有源层环绕所述第一金属层的侧面；第一绝缘层设置在所述侧壁有源层的侧面与第一金属层的侧面之间设有绝缘层；

于侧壁有源层顶部制作第二金属层，侧壁有源层的顶部两端分别连接有一第二金属层。

2.根据权利要求1所述一种TFT结构的制作方法，其特征在于，所述“制作第一金属层、第一绝缘层和侧壁有源层结构”包括步骤：

制作第一金属层；

于第一金属层上覆盖第一绝缘层，并蚀刻所述第一绝缘层制得环绕于第一金属层侧壁的第一通孔；所述第一绝缘层上表面为平面；

于第一通孔内沉积侧壁有源层。

3.根据权利要求1所述一种TFT结构的制作方法，其特征在于，在所述“制作第一金属层、第一绝缘层和侧壁有源层结构”步骤前，还包括步骤：

制作缓冲层，并于缓冲层上制作底部有源层。

4.根据权利要求1或3所述一种TFT结构的制作方法，其特征在于，在所述“制作第一金属层、第一绝缘层和侧壁有源层结构”包括步骤：

涂布第一绝缘层，并于绝缘层上蚀刻制得第一通孔、第二通孔；所述第一绝缘层上表面为平面；

沉积侧壁有源层于第一通孔中，而后于第二通孔内沉积第一金属层。

5.根据权利要求3所述一种TFT结构的制作方法，其特征在于，还包括步骤：制作第三绝缘层。

6.根据权利要求5所述一种TFT结构的制作方法，其特征在于，在所述“制作第一金属层、第一绝缘层和侧壁有源层结构”包括步骤：

制作第一金属层，并涂布第一绝缘层；所述第一绝缘层上表面为平面；

蚀刻第一绝缘层、第三绝缘层，制得以底部有源层为底的第一通孔，并于第一通孔内沉积侧壁有源层。

7.根据权利要求5所述一种TFT结构的制作方法，其特征在于，在所述“制作第一金属层、第一绝缘层和侧壁有源层结构”包括步骤：

制作第一金属层，并涂布第一绝缘层；所述第一绝缘层沿第三绝缘层、第一金属层所组成的上表面轮廓涂布；

蚀刻第一绝缘层、第三绝缘层，制得以底部有源层为底的第一通孔，并于第一通孔内沉积侧壁有源层。

8.根据权利要求1所述一种TFT结构的制作方法，其特征在于，在所述“制作第一金属层、第一绝缘层和侧壁有源层结构”包括步骤：

于基板上制作第一金属层，并涂布第一绝缘层；所述第一绝缘层沿基板、第一金属层所组成的上表面轮廓涂布；

蚀刻第一绝缘层，制得以基板为底的第一通孔，并于第一通孔内沉积侧壁有源层。

9.根据权利要求7或8所述一种TFT结构的制作方法，其特征在于，在所述“于侧壁有源层顶部制作第二金属层”包括步骤：

涂布第二绝缘层，蚀刻侧壁有源层上方的第二绝缘层，并沉积第二金属层。

10.根据权利要求1所述一种TFT结构的制作方法，其特征在于，还包括步骤：制作钝化层。