[发明专利]集成电路的封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成封装件的方法，包括：

将第二封装元件接合至第一封装元件；

将第三封装元件接合至所述第一封装元件；

将伪管芯附接至所述第一封装元件；

将所述第二封装元件、所述第三封装元件和所述伪管芯包封在密封剂中；

执行平坦化工艺以使所述第二封装元件的顶面与所述密封剂的顶面齐平，其中，在所述平坦化工艺之后，所述密封剂的上部与所述伪管芯重叠；以及

锯切穿过所述伪管芯以将所述伪管芯分离为第一伪管芯部分和第二伪管芯部分，其中，所述密封剂的所述上部被锯切穿过，

其中，所述伪管芯包括凹槽、以及位于所述凹槽和所述第二封装元件之间的横向部分，所述密封剂的所述上部位于所述凹槽中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述密封剂的所述上部的厚度大于5μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二封装元件和所述第三封装元件通过空间彼此间隔开，并且其中，所述伪管芯包括：

位于所述空间中的第一部分；以及

位于所述空间的相对侧上的第二部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述伪管芯的所述横向部分的顶面与所述第二封装元件的顶面齐平。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，当所述伪管芯被锯切穿过时，所述伪管芯包括暴露的第一顶面和通过所述密封剂的所述上部覆盖的第二顶面。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述锯切之后，在所述密封剂的所述上部的平面图中，所述密封剂的所述上部具有长度和小于所述长度的宽度，并且其中，所述宽度大于50μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述伪管芯包括硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述平坦化工艺直到进一步露出所述第三封装元件。

9.一种形成封装件的方法，包括：

将第一封装元件接合至第二封装元件，其中，所述第一封装元件包括器件管芯；

将伪管芯附接至所述第二封装元件，其中，所述伪管芯包括凹槽；

将所述第一封装元件和所述伪管芯包封在密封剂中，其中，所述密封剂包括填充所述凹槽的部分；以及

使用刀片执行分割工艺以形成封装件，其中，所述封装件包括所述第一封装元件、第二封装元件的部分和所述伪管芯的部分，并且其中，所述刀片切割穿过位于所述凹槽中的所述密封剂的部分，

其中，所述伪管芯还包括横向部分，所述横向部分位于所述凹槽中的所述密封剂的所述部分和所述第一封装元件之间。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，位于所述凹槽中的所述密封剂的所述部分被切割为两部分。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述凹槽沿长度方向伸长，并且所述刀片沿所述长度方向切割。

12.根据权利要求9所述的方法，还包括：在所述包封之后并且在所述分割工艺之前，执行平坦化工艺以暴露所述伪管芯的表面。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，位于所述凹槽中并且被所述刀片切割穿过的所述密封剂的所述部分的厚度在5μm至600μm的范围内。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述分割工艺之后，位于所述凹槽中的所述密封剂的所述部分在所述封装件中具有剩余部分，并且所述密封剂的所述剩余部分的宽度在60μm至500μm的范围内。

15.根据权利要求9所述的方法，其中，当执行所述分割工艺时，通过所述密封剂暴露所述第一封装元件。