[发明专利]显示面板和显示面板的制备方法有效
申请号: | 202010399118.1 | 申请日: | 2020-05-12 |
公开(公告)号: | CN111446266B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 曹志浩 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底;
有源层,形成在所述衬底一侧;
栅极绝缘层,形成在所述有源层远离所述衬底的一侧;
栅极层,形成在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧,图案化形成栅极;
层间介质层,形成在所述栅极层远离所述栅极绝缘层的一侧;
源漏极层,形成在所述层间介质层远离所述栅极层的一侧,图案化形成源极、漏极和多条数据线,每条数据线包括位于显示区内的面内走线和位于扇出区内的扇出走线,所述数据线包括至少一条第一数据线,每条第一数据线的面内走线和扇出走线相互不接触;所述数据线还包括第二数据线,所述第二数据线的面内走线和扇出走线相互连接,所述显示面板还包括与扇出区连接的绑定区,绑定区设置有与所述扇出走线连接的绑定端子,所述绑定端子包括靠近显示面板中部的第一绑定端子和靠近显示面板两侧的第二绑定端子,所述第一数据线的扇出走线与所述第一绑定端子连接,所述第二数据线的扇出走线与所述第二绑定端子连接;
平坦化层,形成在所述源漏极层远离所述层间介质层的一侧,在所述显示区内,所述平坦化层中形成有过孔;
连接构件,形成在所述源漏极层远离所述层间介质层的一侧,所述连接构件分别与每条第一数据线的面内走线和扇出走线连接。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为液晶显示面板,还包括层叠设置的第一电极层、绝缘层和第二电极层,所述第一电极层形成在所述平坦化层远离所述源漏极层的一侧,图案化形成阵列设置的多个第一电极,所述第一电极通过所述平坦化层中的过孔与所述数据线的面内走线连接。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为OLED显示面板,还包括第一电极层、像素定义层、发光材料层和第二电极层,所述第一电极层形成在所述平坦化层远离所述源漏极层的一侧,图案化形成阵列设置的多个第一电极,所述第一电极通过所述平坦化层中的过孔与所述漏极连接。
4.如权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,所述连接构件与所述第一电极材料相同。
5.如权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,所述连接构件与所述第一电极材料不同。
6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述数据线均为第一数据线。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
在所述衬底上依次制备有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层;
在所述层间介质层远离所述栅极层的一侧形成源漏极层,并图案化形成源极、漏极和多条数据线,每条数据线包括位于显示区内的面内走线和位于扇出区内的扇出走线,所述数据线包括至少一条第一数据线,每条第一数据线的面内走线和扇出走线相互不接触;所述数据线还包括第二数据线,所述第二数据线的面内走线和扇出走线相互连接,所述显示面板还包括与扇出区连接的绑定区,绑定区设置有与所述扇出走线连接的绑定端子,所述绑定端子包括靠近显示面板中部的第一绑定端子和靠近显示面板两侧的第二绑定端子,所述第一数据线的扇出走线与所述第一绑定端子连接,所述第二数据线的扇出走线与所述第二绑定端子连接;
在所述源漏极层远离所述层间介质层的一侧形成平坦化层,且所述平坦化层在所述显示区内形成有过孔;
在所述源漏极层远离所述层间介质层的一侧形成连接构件,所述连接构件分别与每条第一数据线的面内走线和扇出走线连接。
8.如权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述源漏极层远离所述层间介质层的一侧形成连接构件的步骤,包括:在所述平坦化层远离所述源漏极层的一侧形成第一电极层,并图案化形成阵列设置的多个第一电极和所述连接构件。
9.如权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述源漏极层远离所述层间介质层的一侧形成连接构件的步骤,包括:在所述平坦化层远离所述源漏极层的一侧经过两道工序分别形成第一电极层和连接构件,所述第一电极层图案化形成阵列设置的多个第一电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的