[发明专利]显示面板和显示面板的制备方法有效
申请号: | 202010399118.1 | 申请日: | 2020-05-12 |
公开(公告)号: | CN111446266B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 曹志浩 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制备 方法 | ||
本申请提供一种显示面板和显示面板的制备方法,显示面板包括层叠设置的衬底、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源漏极层、平坦化层和连接构件;源漏极层图案化形成源极、漏极和多条数据线,每条数据线包括位于显示区内的面内走线和位于扇出区内的扇出走线,数据线包括至少一条第一数据线,每条第一数据线的面内走线和扇出走线相互不接触;平坦化层在显示区内形成有过孔;连接构件分别与每条第一数据线的面内走线和扇出走线连接。本申请中第一数据线上的平坦化层在烘烤时,扇出走线的热量不会传递至面内走线中,平坦化层在过孔内的坡度角正常,因此后续制程的膜层在该处不易产生断裂,且连接构件将第一数据线连接后不会影响信号的传递。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板和显示面板的制备方法。
背景技术
显示面板中通常会设置多条数据线,数据线与驱动IC连接,用于向面内提供驱动信号,数据线包括位于显示区内的面内走线和位于扇出区内的扇出走线,现有的低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)制程中,面内走线上会设置平坦化层以改善平坦性,平坦化层材料为有机光阻,需要经过涂布、曝光、显影、烘烤步骤形成。然而,在烘烤制程中,由于扇出走线较为密集,金属烘烤时吸热较多,热量会传递至面内走线中,使得面内走线上方的平坦化层中,靠近扇出区的过孔最终形成的坡度角偏大,后续制程中的膜层形成在该过孔内时容易产生断裂。
因此,现有显示面板存在平坦化层中靠近扇出区的过孔坡度角偏大的技术问题,需要改进。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板和显示面板的制备方法,用以缓解现有显示面板中平坦化层中靠近扇出区的过孔坡度角偏大的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板,包括:
衬底;
有源层,形成在所述衬底一侧;
栅极绝缘层,形成在所述有源层远离所述衬底的一侧;
栅极层,形成在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧,图案化形成栅极;
层间介质层,形成在所述栅极层远离所述栅极绝缘层的一侧;
源漏极层,形成在所述层间介质层远离所述栅极层的一侧,图案化形成源极、漏极和多条数据线,每条数据线包括位于显示区内的面内走线和位于扇出区内的扇出走线,所述数据线包括至少一条第一数据线,每条第一数据线的面内走线和扇出走线相互不接触;
平坦化层,形成在所述源漏极层远离所述层间介质层的一侧,在所述显示区内,所述平坦化层中形成有过孔;
连接构件,形成在所述源漏极层远离所述层间介质层的一侧,所述连接构件分别与每条第一数据线的面内走线和扇出走线连接。
在本申请的显示面板中,所述显示面板为液晶显示面板,还包括层叠设置的第一电极层、绝缘层和第二电极层,所述第一电极层形成在所述平坦化层远离所述源漏极层的一侧,图案化形成阵列设置的多个第一电极,所述数据线的面内走线通过所述平坦化层中的过孔与所述第一电极连接。
在本申请的显示面板中,所述显示面板为OLED显示面板,还包括第一电极层、像素定义层、发光材料层和第二电极层,所述第一电极层形成在所述平坦化层远离所述源漏极层的一侧,图案化形成阵列设置的多个第一电极,所述第一电极通过所述平坦化层中的过孔与所述漏极连接。
在本申请的显示面板中,所述连接构件与所述第一电极材料相同。
在本申请的显示面板中,所述连接构件与所述第一电极材料不同。
在本申请的显示面板中,所述数据线均为第一数据线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010399118.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种量尺器具
- 下一篇:一种带指示灯的三档开关
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的