[发明专利]电子元件及其透明导电薄膜的制作方法在审
| 申请号： | 202010400387.5 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111554432A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 卞经纬 | 申请（专利权）人： | 无锡市伍豪机械设备有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙) 32376 | 代理人： | 姬颖敏 |
| 地址： | 214161 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子元件 及其 透明 导电 薄膜 制作方法 | ||
1.一种透明导电薄膜的制作方法，包含下列步骤：提供一基底；在该基底上形成一透明导电薄膜；以及利用铷钇铝石榴石(Nd：YAG)激光对该透明导电薄膜进行激光退火处理，其中该铷钇铝石榴石激光的操作功率为0.5～2.25瓦特，且该透明导电薄膜经激光退火处理后降低10-15％的电阻值。
2.如权利要求1所述的透明导电薄膜的制作方法，其中该铷钇铝石榴石激光的作用时间为50～200微秒。
3.如权利要求1所述的透明导电薄膜的制作方法，其中该铷钇铝石榴石激光的工作频率为100千赫。
4.如权利要求1所述的透明导电薄膜的制作方法，其中该铷钇铝石榴石激光的波长为1064纳米。
5.如权利要求1所述的透明导电薄膜的制作方法，其中该透明导电薄膜为氧化铟锡(ITO)、导电玻璃(FTO)或氧化铝锌(AZO)。
6.一种电子元件，该电子元件至少包括：一基底；以及一透明导电薄膜，设于该基底上，且该透明导电薄膜经由一铷钇铝石榴石(Nd：YAG)激光进行激光退火处理，其中该铷钇铝石榴石激光的操作功率为0.5～2.25瓦特，且该透明导电薄膜经激光退火处理后降低10-15％的电阻值。
7.如权利要求6所述的电子元件，其中该铷钇铝石榴石激光的作用时间为50～200微秒。
8.如权利要求6所述的电子元件，其中该铷钇铝石榴石激光的工作频率为100千赫。
9.如权利要求6所述的电子元件，其中该铷钇铝石榴石激光的波长为1064纳米。
10.如权利要求6所述的电子元件，其中该透明导电薄膜为氧化铟锡(ITO)、导电玻璃(FTO)或氧化铝锌(AZO)。
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