[发明专利]电子元件及其透明导电薄膜的制作方法在审
申请号: | 202010400387.5 | 申请日: | 2020-05-12 |
公开(公告)号: | CN111554432A | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 卞经纬 | 申请(专利权)人: | 无锡市伍豪机械设备有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00 |
代理公司: | 无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙) 32376 | 代理人: | 姬颖敏 |
地址: | 214161 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子元件 及其 透明 导电 薄膜 制作方法 | ||
本发明提出一种透明导电薄膜的制作方法,其包含下列步骤:首先提供一基底,在基底上形成透明导电薄膜,最后以铷钇铝石榴石(Nd:YAG)激光对透明导电薄膜进行激光退火处理。使用铷钇铝石榴石激光对透明导电薄膜进行退火处理,可大幅降低透明导电薄膜的的电阻值,利用铷钇铝石榴石激光替换准分子激光,可解决透明导电薄膜制作成本过高的问题。
技术领域
本发明关于一种电子元件及其透明导电薄膜的制作方法,特别是有关于一种利用铷钇铝石榴石激光进行退火的电子元件及其透明导电薄膜的制作方法。
背景技术
目前,激光退火可进行透明导电薄膜表面改质以达到薄膜特性的提升,通过透明导电氧化物薄膜对紫外光波段光源的吸收,产生热量而发生熔融与伴随的凝固等作用。使得非晶质透明导电薄膜可以经由激光照射后提升其结晶性而减少晶体缺陷,而透明导电薄膜对于激光的吸收作用也使得薄膜的退火过程不产生热变形与热效应而损伤底下的基材,是一项非常适合于发展柔性元件的技术。
然而,激光退火技术多使用较为昂贵的准分子激光,其成本动辄数百万甚至可达上千万,使得利用激光退火制作透明导电薄膜的技术,碍于成本问题,始终无法普及。
因此,提供一种以较低成本的激光对透明导电薄膜进行退火的方法就相当重要且急迫了。
发明内容
本发明的目的是提供一种电子元件及其透明导电薄膜的制作方法,以解决激光退火制作透明导电薄膜成本过高的问题。
根据本发明的目的,提出一种透明导电薄膜的制作方法,其包含下列步骤:首先提供一基底,在基底上形成透明导电薄膜,最后以铷钇铝石榴石(Nd:YAG)激光对透明导电薄膜进行激光退火处理。
其中,铷钇铝石榴石激光的操作功率较佳为0.5~3瓦特。
其中,铷钇铝石榴石激光的作用时间较佳为50~200微秒。
其中,铷钇铝石榴石激光的工作频率较佳为100千赫。
其中,铷钇铝石榴石激光的波长较佳为1064纳米。
其中,透明导电薄膜为氧化铟锡(ITO)、导电玻璃(FTO)或氧化铝锌(AZO)。
根据本发明的目的,又提出一种电子元件,该电子元件至少包括:基底以及透明导电薄膜。透明导电薄膜设于基底,且该透明导电薄膜经由铷钇铝石榴石(Nd:YAG)激光进行激光退火处理。
其中,铷钇铝石榴石激光的操作功率较佳为0.5~3瓦特。
其中,铷钇铝石榴石激光的作用时间较佳为50~200微秒。
其中,铷钇铝石榴石激光的工作频率较佳为100千赫。
其中,铷钇铝石榴石激光的波长较佳为1064纳米。
其中,透明导电薄膜为氧化铟锡(ITO)、导电玻璃(FTO)或氧化铝锌(AZO)。
本发明的电子元件及其透明导电薄膜的制作方法,可具有下述优点:
(1)此电子元件及其透明导电薄膜的制作方法可使用铷钇铝石榴石激光对透明导电薄膜进行退火处理,可大幅降低透明导电薄膜的的电阻值。
(2)此电子元件及其透明导电薄膜的制作方法可利用铷钇铝石榴石激光替换准分子激光,可解决透明导电薄膜制作成本过高的问题。
附图说明
图1是本发明的电子元件的示意图。
具体实施方式
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