[发明专利]一种半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器包括：

管壳，所述管壳的一端为出光面；

至少一个发光模组，所述发光模组包括激光芯片和热沉，所述激光芯片和所述热沉均设置于所述管壳内，所述激光芯片用于发射激光，所述热沉用于对所述激光芯片进行散热；

光学系统，设置于所述管壳内，用于将所述激光进行反射和准直处理后射出所述管壳；

其中，所述光学系统包括一体结构的反射组件和准直组件，

所述反射组件包括一反射面，所述准直组件包括一入射面和出射面，所述激光芯片与所述反射组件的反射面相对设置，以使得所述激光能够经所述反射面反射至所述准直组件的入射面，进而经过所述准直组件进行准直处理后，再经所述准直组件的述出射面射出。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述反射面和所述入射面连接且夹角为一预设角度，所述预设角度大于0°且小于或者等于90°。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述入射面位于所述准直组件一侧，且与所述反射组件相对；所述准直组件具有位于与所述入射面相背的另一侧的出射面；所述入射面为平面，所述出射面为非球面的曲面。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述出射面的曲面形状配置为：

其中，Cx和Cy分别为所述出射面在X、Y方向上的曲率半径倒数，kx和ky分别为所述出射面在X、Y方向上的圆锥系数，A、B分别为所述出射面的对称系数和非对称系数。

5.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述入射面和所述出射面均覆盖有增透膜。

6.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述管壳包括：

基座，用于安装所述发光模组和所述光学系统；

管壳壳体，形成有容置空间，且罩设于所述基座，进而使得所述发光模组和所述光学系统位于所述容置空间内；

所述管壳壳体在所述出光面上设置有光窗，所述光窗盖设于所述管壳壳体与所述基座相对的一侧，以盖合所述容置空间，用于将所述出射面射出的所述激光透射至外部。

7.根据权利要求6所述半导体激光器，其特征在于，所述反射组件设置于所述基座，所述激光芯片的出光面与所述反射面间隔设置，且所述激光芯片的出光面在所述基座上的投影位于所述入射面在所述基座上的投影内，且所述激光芯片的出光面在所述基座上的投影位于所述反射面在所述基座上的投影外。

8.根据权利要求7所述半导体激光器，其特征在于，所述热沉设置于所述基座上，一个或多个所述激光芯片安装于所述热沉上，所述热沉与所述反射组件间隔设置。

9.根据权利要求8所述的半导体激光器，其特征在于，所述发光模组与光学系统分别一一对应设置，或所述发光模组与光学系统一对多设置。

10.根据权利要求9所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括引脚，所述引脚的一端伸入所述容置空间内，邻近所述热沉设置，且耦接所述激光芯片，所述引脚的另一端伸出所述容置空间外，用于与外部电耦接；和/或，

所述光窗材质为玻璃，且所述光窗与所述出射面相对的两侧面上均镀有增透膜。