[发明专利]三维存储组件形成过程中阶梯的蚀刻控制方法

权利要求书

1.一种控制光阻（PR）修整工艺中的PR修整速率，以形成三维存储结构的方法，包括：

在绝缘体叠层上方修整PR层；

为所述修整后的PR层形成第一修整标记；

利用修整后的PR层作为蚀刻掩模，蚀刻所述绝缘体叠层，以形成多个阶梯；

沿着平行基底的顶面的第一方向，测量所述第一修整标记与所述修整后的PR层之间的第一距离，以确定所述PR修整工艺中沿着所述第一方向的实际PR修整速率；

将沿着所述第一方向的所述实际PR修整速率与沿着所述第一方向的估计PR修整速率比较，以确定沿着所述第一方向的所述实际PR修整速率与沿着所述第一方向的所述估计PR修整速率之间的第一差值；以及

基于所述第一差值，调整所述PR修整工艺中的一个或多个PR修整参数。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘体叠层在所述基底上形成。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘体叠层包括交替排列的多个牺牲材料层和多个绝缘材料层。

4.如权利要求1所述的方法，其中，形成第一修整标记包括在所述绝缘体叠层和相邻所述绝缘体叠层的区域中的一者或多者上，形成所述第一修整标记。

5.如权利要求4所述的方法，其中，形成所述第一修整标记包括：

图案化所述绝缘体叠层和相邻所述绝缘体叠层的所述区域中的一者或多者，以形成初始修整标记；以及

使用所述初始修整标记作为蚀刻掩模，反复蚀刻所述绝缘体叠层以形成所述第一修整标记。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述第一修整标记具有突起结构和凹陷结构中的一者或多者。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述突起结构包括阶梯厚度的高度，并且所述凹陷结构包括所述阶梯的所述厚度的深度。

8.如权利要求2-7中的任一项所述的方法，还包括：

在所述绝缘体叠层上形成用于所述修整后的PR层的第二修整标记；

沿着平行所述基底的所述顶面的第二方向，测量所述第二修整标记与所述修整后的PR层之间的第二距离，以确定所述PR修整工艺中沿着所述第二方向的实际PR修整速率；

将沿着所述第二方向的所述实际PR修整速率与沿着所述第二方向的估计PR修整速率比较，以确定沿着所述第二方向的所述实际PR修整速率与沿着所述第二方向的所述估计PR修整速率之间的第二差值；以及

基于所述第二差值，调整所述PR修整工艺中的一个或多个PR修整参数。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述第二修整标记和所述第一修整标记由相同的图案化工艺形成。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述第二修整标记和所述第一修整标记具有相同的形状。

11.如权利要求8所述的方法，其中，所述第二方向与所述第一方向相同。

12.如权利要求4所述的方法，还包括：

在相邻所述绝缘体叠层的所述区域上为所述修整后的PR层形成第三修整标记；

沿着平行所述基底的所述顶面的第三方向，测量所述第三修整标记与所述PR层之间的第三距离，以确定所述PR修整工艺中沿着所述第三方向的实际PR修整速率；

将沿着所述第三方向的所述实际PR修整速率与沿着所述第三方向的估计PR修整速率进行比较，以确定沿着所述第三方向的所述实际PR修整速率与沿着所述第三方向的所述估计PR修整速率之间的第三差值；以及

基于所述第三差值，调整所述PR修整工艺中的所述PR修整参数。

13.如权利要求12所述的方法，其中，相邻所述绝缘体叠层的所述区域包括平面和三维表面中的一者或多者。