[发明专利]一种隧穿晶体管的漏端负交叠区自对准制备方法

权利要求书

1.一种隧穿晶体管的漏端负交叠区自对准制备方法，其特征是，包括以下步骤：

(1)衬底准备，有源区的隔离，阱掺杂与衬底预注入；

(2)生长栅介质材料，继而生长栅材料；

(3)通过光刻与刻蚀，形成栅图形；

(4)在栅图形边缘生长薄侧墙；

(5)在栅图形边缘继续生长厚侧墙；

(6)去除靠近源端的栅厚侧墙，保留源端栅薄侧墙；

(7)以光刻胶与漏端栅厚侧墙为掩模，离子注入形成器件的漏；

(8)以光刻胶与源端栅薄侧墙为掩模，离子注入另一种掺杂类型的杂质，形成器件的源；

(9)高温退火激活杂质，然后进入同CMOS一致的后道工序，包括淀积钝化层、开接触孔以及金属化，即可制得具有漏端负交叠区自对准结构的隧穿场效应晶体管。

2.如权利要求1所述的隧穿晶体管的漏端负交叠区自对准制备方法，其特征是，所述步骤(1)中的半导体衬底材料选自Si、Ge、SiGe、GaAs或其他II-VI，III-V和IV-IV族的二元或三元化合物半导体、绝缘体上的硅或绝缘体上的锗。

3.如权利要求1所述的隧穿晶体管的漏端负交叠区自对准制备方法，其特征是，所述步骤(2)中的栅介质层材料选自SiO₂、Si₃N₄和高K栅介质材料。

4.如权利要求1所述的隧穿晶体管的漏端负交叠区自对准制备方法，其特征是，所述步骤(2)中的生长栅介质层的方法选自下列方法之一：常规热氧化、掺氮热氧化、化学气相淀积和物理气相淀积。

5.如权利要求1所述的隧穿晶体管的漏端负交叠区自对准制备方法，其特征是，所述步骤(2)中的栅材料选自掺杂多晶硅、金属钴，镍以及其他金属或金属硅化物。

6.如权利要求1所述的隧穿晶体管的漏端负交叠区自对准制备方法，其特征是，所述步骤(4)的薄侧墙与步骤(5)中的厚侧墙采用相同或不同的侧墙材料。

7.如权利要求6所述的隧穿晶体管的漏端负交叠区自对准制备方法，其特征是，所述侧墙材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅中的一种或多种叠层组合。

8.如权利要求1所述的隧穿晶体管的漏端负交叠区自对准制备方法，其特征是，所述步骤(4)中的薄侧墙厚度为5-10nm。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征是，所述步骤(5)中的厚侧墙厚度为40-60nm 。

10.如权利要求1所述的隧穿晶体管的漏端负交叠区自对准制备方法，其特征是，所述步骤(6)中的厚侧墙与薄侧墙间没有刻蚀终止层，首先去除侧墙后再次生长薄侧墙。