[发明专利]小发散角MicroLED器件及MicroLED阵列有效
申请号: | 202010403865.8 | 申请日: | 2020-05-13 |
公开(公告)号: | CN113674639B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 孙雷;张婧姣 | 申请(专利权)人: | 北京数字光芯集成电路设计有限公司 |
主分类号: | G09F9/33 | 分类号: | G09F9/33 |
代理公司: | 北京智宇正信知识产权代理事务所(普通合伙) 11876 | 代理人: | 李明卓 |
地址: | 100015 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发散 microled 器件 阵列 | ||
1.一种小发散角Micro LED器件,其特征在于:包括微光学系统、Micro LED颗粒、隔离结构、像素电极、阴极电极,所述像素电极位于底部,所述Micro LED颗粒与所述隔离结构置于所述像素电极上方,所述阴极电极置于所述Micro LED颗粒与所述隔离结构上方,所述微光学系统置于所述阴极电极上方;所述微光学系统为透射式光学系统,可透射所述MicroLED颗粒发出的光,且透过率大于等于80%;所述微光学系统口径小于等于500微米;所述微光学系统起到收敛所述Micro LED颗粒发出的光发散角作用;所述阴极电极为金属电极并与外部电路相连;所述阴极电极电阻率小于等于9*10-4Ωcm;所述阴极电极是对所述MicroLED颗粒所发射光线透射的电极材料;微光学系统材质与阴极电极是相同组份ITO透明电极材料,直接生成一层ITO透明电极材料,并在ITO透明电极材料层上直接进行微透镜的刻蚀,刻蚀后的ITO透明电极层兼具微光学系统的收敛发散角的作用和阴极电极的导电作用,使微光学系统材质与阴极电极两层结构合并成一层结构。
2.如权利要求1所述的小发散角Micro LED器件,其特征在于,所述Micro LED颗粒为采用垂直结构的任意形状的半导体发光二极管微粒,其任意一边的边长或直径小于等于500微米,发光波长范围为170nm~800nm。
3.如权利要求1所述的小发散角Micro LED器件,其特征在于,所述隔离结构由绝缘材料填充。
4.如权利要求1所述的小发散角Micro LED器件,其特征在于,所述像素电极具体为金属电极并与外部电路相连;所述像素电极由硅基或玻璃基上的CMOS电路驱动实现独立开关及为所述Micro LED颗粒进行供电。
5.一种Micro LED阵列,其特征在于,包括权利要求1-4任意一项所述的小发散角MicroLED器件。
6.一种Micro LED阵列,其特征在于,包括权利要求1-4任意一项所述的小发散角MicroLED器件所组成的任意数量的阵列。
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