[发明专利]基板容器系统在审
申请号: | 202010404417.X | 申请日: | 2020-05-13 |
公开(公告)号: | CN112289719A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 邱铭乾;林志铭;钟承恩;余念芸;李柏廷 | 申请(专利权)人: | 家登精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 孙芬 |
地址: | 中国台湾新北*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 容器 系统 | ||
1.一种基板容器系统,其特征在于,包括:
容器主体,具有底面、使基板能够通过的前开口、以及与所述前开口相对的后开口,其中,所述后开口的宽度小于所述前开口的宽度;及
后盖,覆盖所述后开口并与所述容器主体建立密封地接合;
其中,所述后盖包括第一进气结构,在组装时所述第一进气结构弯曲地延伸在所述容器主体的底面下方,所述第一进气结构包括与所述容器主体的底面相对并且面向下的进气埠。
2.如权利要求1所述的基板容器系统,其特征在于,所述后盖还包括第二进气结构,其中,所述第一进气结构和所述第二进气结构沿着所述后盖的宽度方向基本对称地布置。
3.如权利要求2所述的基板容器系统,其特征在于,所述容器主体组配来接收过滤组件,所述过滤组件覆盖所述容器主体的所述后开口。
4.如权利要求3所述的基板容器系统,其特征在于,
所述第一进气结构和所述第二进气结构当中的每一个连接至导气通道,所述导气通道沿着所述后盖的高度方向延伸。
5.如权利要求4所述的基板容器系统,其特征在于,
所述导气通道具有出口,所述出口大致布置在沿着所述后盖的高度的中间部分。
6.如权利要求5所述的基板容器系统,其特征在于,
所述后盖和所述过滤组件共同定义了缓冲室,所述缓冲室通过所述出口连接到所述导气通道。
7.如权利要求5所述的基板容器系统,其特征在于,
其中,所述后盖包括一对分隔结构,所述分隔结构沿所述高度方向延伸,且沿宽度方向分别邻近所述后开口;
其中,所述导气通道的所述出口形成在所述分隔结构中。
8.如权利要求7所述的基板容器系统,其特征在于,
其中,所述容器主体还包括一对凸缘部,所述凸缘部与所述前开口相对,且沿所述宽度方向分别与所述后开口相邻地布置;
其中,所述后盖至少部分地与所述凸缘部重迭,其中,所述导气通道形成在所述后盖与所述凸缘部之间的重迭区域中。
9.如权利要求3所述的基板容器系统,其特征在于,还包括过滤组件,所述过滤组件具有气体释放面,所述气体释放面通过所述后开口朝向所述容器主体延伸。
10.如权利要求3所述的基板容器系统,其特征在于,还包括
密封构件,具有第一密封环部,所述第一密封环部布置在所述后盖与所述容器主体之间;
其中,所述第一密封环部包括区段,所述区段弯曲地延伸在所述容器主体的底面与所述第一进气结构之间。
11.如权利要求10所述的基板容器系统,其特征在于,所述密封构件还包括第二密封环部,所述第二密封环部布置在所述过滤组件与所述容器主体之间。
12.一种基板容器系统,其特征在于,包括:
容器主体,具有底面、使基板能够通过的前开口、以及与所述前开口相对的后开口,其中,所述容器主体组配来接收过滤组件,所述过滤组件覆盖所述容器主体的所述后开口;
后盖,与所述容器主体建立密封地接合,其中,所述后盖和所述过滤组件共同定义了缓冲室;及
第一导气通道,沿着所述后盖的高度方向延伸,其中,所述第一导气通道具有出口,所述出口连接到所述缓冲室。
13.如权利要求12所述的基板容器系统,其特征在于,所述出口大致布置在沿着所述后盖的高度的中间部分。
14.如权利要求12所述的基板容器系统,其特征在于,
其中,所述后盖包括一对沿所述高度方向延伸的分隔结构,所述一对分隔结构沿宽度方向分别邻近所述后开口;
其中,所述第一导气通道的所述出口形成在所述分隔结构中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造