[发明专利]基板容器系统在审
申请号: | 202010404417.X | 申请日: | 2020-05-13 |
公开(公告)号: | CN112289719A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 邱铭乾;林志铭;钟承恩;余念芸;李柏廷 | 申请(专利权)人: | 家登精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 孙芬 |
地址: | 中国台湾新北*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 容器 系统 | ||
一种基板容器系统,包括容器主体及后盖。所述容器主体具有底面、使基板能够通过的前开口、以及与所述前开口相对的后开口,其中,所述后开口的宽度小于所述前开口的宽度。所述后盖覆盖所述后开口并与所述容器主体建立密封地接合。所述后盖包括第一进气结构,在组装时所述第一进气结构弯曲地延伸在所述容器主体的底面下方,所述第一进气结构包括与所述容器主体的底面相对并且面向下的进气埠。
技术领域
本申请要求于2019年07月13日提交的台湾专利申请号108124813的优先权,其通过引用并入本文,并且成为说明书的一部分。
本公开涉及适用于防止诸如晶圆的易碎物品在存储、输送和运输期间受到环境污染的可运输容器,并且特别地涉及能够在容器系统内均匀地分配净化气体(purging gas)的容器系统。
背景技术
在现代半导体制程中,精密的工件(例如,晶圆(wafer),光掩模(reticle)/遮罩(mask))在可以被制成集成电路之前,会在多个制程设备进行多个制程。晶圆通常会从制造晶圆的设施被运输或输送到另一地点,以在所述地点对所述晶圆进一步处理。此类精密装置的移动通常以专用的基板容器(例如,前开式基板传送盒,front opening unified pod,FOUP)来完成。
FOUP通常在多个制程站之间用于容纳300mm或450mm的晶圆。惯例上,FOUP具有一个外壳,所述外壳限定了一个开放的内部空间,且所述外壳中有多个架子,用于固定多个彼此相间隔的晶圆。而且,外壳限定了前开口,所述前开口可被前门构件覆盖,所述前门构件结合了密封构件和闩锁机构,以在门和外壳之间建立气密接合。
理想上,在载入或取出基板的期间(例如,当前门被移除并且内部被暴露时),需要控管侵入基板容器的环境污染物(例如,空气/灰尘/湿气)。即使周围环境是无尘室,当环境污染物侵入到容器中时也会对设置其中的基板的产能产生不利影响。为此,将净化设备结合到运载盒系统中,以在所述盒的装载/卸载期间支援净化工序(purging process)。
发明内容
本公开的一方面提供了一种基板容器系统,包括容器主体及后盖。所述容器主体具有底面、使基板能够通过的前开口、以及与所述前开口相对的后开口,其中,所述后开口的宽度小于所述前开口的宽度。所述后盖覆盖所述后开口并与所述容器主体建立密封地接合。所述后盖包括第一进气结构,在组装时所述第一进气结构弯曲地延伸在所述容器主体的底面下方,所述第一进气结构包括与所述容器主体的底面相对并且面向下的进气埠。
本公开的一方面提供了一种基板容器系统,包括容器主体、后盖及第一导气通道。所述容器主体具有底面、使基板能够通过的前开口、以及与所述前开口相对的后开口,其中,所述容器主体组配来接收过滤组件,所述过滤组件覆盖所述容器主体的所述后开口。所述后盖与所述容器主体建立密封地接合,其中,所述后盖和所述过滤组件共同定义了缓冲室。所述第一导气通道沿着所述后盖的高度方向延伸。所述第一导气通道具有出口,所述出口连接到所述缓冲室。
附图说明
为可仔细理解本案以上记载之特征,参照实施态样可提供简述如上之本案的更特定描述,一些实施态样系说明于随附图式中。然而,要注意的是,随附图式仅说明本案的典型实施态样并且因此不被视为限制本案的范围,因为本案可承认其他等效实施态样。
图1示出了根据本公开的一些实施例的基板容器系统的等角视图;
图2示出了根据本公开的一些实施例的用于基板容器系统的后盖的等角视图;
图3示出了根据本公开的一些实施例的基板容器系统的剖视图;
图4至图6分别示出了根据本公开的一些实施例的基板容器系统的后盖的等角视图;
图7a示出了根据本公开的一些实施例的用于基板容器系统的容器主体的等角视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造