[发明专利]一种柔性面板及其制备方法在审
申请号: | 202010405422.2 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN111584425A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 李林霜 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/15;H01L27/32;H01L21/78 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种柔性面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一衬底;
通过沉积法在所述衬底上制备一层惰性无机层,
在所述惰性无机层上制备一层柔性层,其中柔性层覆盖所述惰性无机层且延伸至所述衬底上。
2.根据权利要求1所述的柔性面板的制备方法,其特征在于,
所述惰性无机层包括氮化硅、氧化硅以及单晶硅中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的柔性面板的制备方法,其特征在于,在所述惰性无机层上制备一层柔性层步骤之后,还包括以下步骤:
在所述柔性层上制备氮化硅和氧化硅的叠层结构,固化后形成阻隔层;
在所述阻隔层上制备薄膜晶体管阵列层。
4.根据权利要求3所述的柔性面板的制备方法,其特征在于,在所述阻隔层上制备薄膜晶体管阵列层步骤后,还包括以下步骤:
通过激光沿所述惰性无机层的边缘切割所述薄膜晶体管阵列层、所述阻隔层、所述柔性层以及所述衬底。
5.根据权利要求1所述的柔性面板的制备方法,其特征在于,
所述惰性无机层的制备步骤具体包括如下步骤:
通过化学沉积法在所述衬底上制备一层惰性层;
刻蚀衬底边缘处的所述惰性无机层,所述惰性无机层被刻蚀部分与剩余部分的面积比为1:9~3:7。
6.根据权利要求1所述的柔性面板的制备方法,其特征在于,所述惰性无机层的氢含量为10%~15%。
7.根据权利要求1所述的柔性面板的制备方法,其特征在于,
所述惰性无机层的厚度为100~400埃。
8.一种柔性面板,由权利要求1-7中任一项所述的柔性面板的制备方法制成。
9.根据权利要求8所述的柔性面板,其特征在于,
所述衬底包括
保留区,设于所述衬底中部,所述惰性无机层设于所述保留区上方;以及
非保留区,设于所述保留区四周。
10.根据权利要求9所述的柔性面板,其特征在于,
所述保留区面积与所述非保留区面积的比为7:3~9:1。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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