[发明专利]自举电容充电电路及充电方法在审

专利信息
申请号: 202010406063.2 申请日: 2020-05-14
公开(公告)号: CN111446849A 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 高红波;黄必亮 申请(专利权)人: 杰华特微电子(杭州)有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 电容 充电 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种自举电容充电电路,其特征在于:包括单向导通电路和限流电路,所述单向导通电路和限流电路串联;供电电压通过所述充电电路给自举电容充电,限流电路对自举电容充电电流限流;所述自举电容用于给开关电源上管的驱动电路供电,开关电源的上管接收输入电压。

2.根据权利要求1所述的自举电容充电电路,其特征在于:当开关电源的上管关断时,所述限流电路关断,关断时间达到第一时间时,限流电路导通。

3.根据权利要求1所述的自举电容充电电路,其特征在于:当开关电源的上管关断时,所述限流电路关断;当自举电容高电位端电压或者其低电位端电压达到相应阈值时,限流电路导通。

4.根据权利要求2或3所述的自举电容充电电路,其特征在于:所述限流电路包括一个开关管,该开关管和所述单向导通电路连接;当开关电源的上管关断时,所述开关管关断,关断时间达到第一时间时,所述开关管导通。

5.根据权利要求4所述的自举电容充电电路,其特征在于:所述单向导通电路包括两个MOS管,所述两个MOS管的体二极管反向串联。

6.根据权利要求5所述的自举电容充电电路,其特征在于:所述的两个MOS管均为PMOS管。

7.根据权利要求5所述的自举电容充电电路,其特征在于:所述的两个MOS管均为NMOS管。

8.根据权利要求5所述的自举电容充电电路,其特征在于:所述的两个MOS管中,一个为NMOS管,另一个为PMOS管。

9.一种自举电容充电方法,基于单向导通电路和限流电路,其特征在于:所述单向导通电路和限流电路串联;供电电压通过单向导通电路和限流电路给自举电容充电,限流电路对自举电容充电电流限流;所述自举电容用于给开关电源上管的驱动电路供电,开关电源的上管接收输入电压。

10.根据权利要求9所述的自举电容充电方法,其特征在于:当开关电源的上管关断时,所述限流电路关断,关断时间达到第一时间时,限流电路导通。

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