[发明专利]自举电容充电电路及充电方法

说明书

本发明提出一种自举电容充电电路及充电方法，所述充电电路包括单向导通电路和限流电路，所述单向导通电路和限流电路串联；供电电压通过所述充电电路给自举电容充电，限流电路对自举电容充电电流限流；所述自举电容用于给开关电源上管的驱动电路供电，开关电源的上管接收输入电压。本发明避免自举电容充电电流流过单向导通电路中的体二极管，从而避免体二极管寄生效应带来的影响。

技术领域

本发明涉及电力电子领域，特别涉及一种自举电容充电电路及充电方法。

背景技术

图1示意了现有技术开关电源原理图，供电电压VDD通过两个串联的MOS管给开关电源驱动电路供电；但当同步整流管M1导通时，SW处电压会被拉低到小于零，使得自举电容C0高电位端电压被拉低，从而使得输入端和自举电容C0正极之间的压差很大，导致主开关管M2会有漏电流从其体二极管流过。由于体二极管的寄生效应，漏电流流过体二极管会影响电路性能。

发明内容

本发明的目的是提供一种避免漏电流流过体二极管的自举电容充电电路及充电方法，用以解决现有技术存在的漏电流流过体二极管而带来的寄生效应的问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种自举电容充电电路，包括单向导通电路和限流电路，所述单向导通电路和限流电路串联；供电电压通过所述充电电路给自举电容充电，限流电路对自举电容充电电流限流；

可选的，当开关电源的上管关断时，所述限流电路关断，关断时间达到第一时间时，限流电路导通。

可选的，当开关电源的上管关断时，所述限流电路关断；当自举电容高电位端电压或者其低电位端电压达到相应阈值时，限流电路导通。

可选的，所述限流电路包括一个开关管，该开关管和所述单向导通电路连接；当开关电源的上管关断时，所述开关管关断，关断时间达到第一时间时，所述开关管导通。

可选的，所述单向导通电路包括两个MOS管，所述两个MOS管的体二极管反向串联。

可选的，所述的两个MOS管均为PMOS管。

可选的，所述的两个MOS管均为NMOS管。

可选的，所述的两个MOS管中，一个为NMOS管，另一个为PMOS管。

本发明还提供一种自举电容充电方法，基于单向导通电路和限流电路，所述单向导通电路和限流电路串联；供电电压通过单向导通电路和限流电路给自举电容充电，限流电路对自举电容充电电流限流。

可选的，当开关电源的上管关断时，所述限流电路关断，关断时间达到第一时间时，限流电路导通。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：本发明基于单向导通电路和限流电路，所述单向导通电路和限流电路串联；供电电压通过单向导通电路和限流电路给自举电容充电，限流电路对自举电容充电电流限流。当开关电源的上管关断时，所述限流电路关断，关断时间达到第一时间时或者自举电容其中一端的电压达到相应阈值电压时，限流电路导通。本发明可避免自举电容充电电流流过单向导通电路中的体二极管，从而避免体二极管寄生效应带来的影响。

附图说明

图1为现有技术开关电源原理图；

图2为本发明自举电容充电电路原理图；

图3为本发明单向导通电路实时例二原理图；

图4为本发明单向导通电路实时例三原理图；

图5为本发明单向导通电路实时例四原理图；

具体实施方式

以下结合附图对本发明的优选实施例进行详细描述，但本发明并不仅仅限于这些实施例。本发明涵盖任何在本发明的精神和范围上做的替代、修改、等效方法以及方案。