[发明专利]显示装置和电子装置在审
申请号: | 202010406218.2 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN111952338A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 林相勳;金玲官;李普爀;金振亨;吴荣珍;姜球贤;张成镇 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 电子 装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基体基底,包括显示区域和定位在所述显示区域的侧面处的非显示区域;
至少一个晶体管和导线,所述至少一个晶体管位于所述基体基底的所述显示区域中,所述导线位于所述基体基底的所述非显示区域中;
至少一个发光元件,位于所述显示区域中并结合到所述至少一个晶体管;
封装层,覆盖所述发光元件;
感测电极和感测线,所述感测电极位于所述封装层上,所述感测线位于所述封装层上并结合到所述感测电极;以及
对准标记,位于所述封装层上,并且在平面图中在所述非显示区域中与所述导线中的一些导线至少部分地叠置。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述导线中的所述一些导线设置在所述基体基底的第一区域中,所述导线中的剩余导线设置在所述基体基底的第二区域中,并且
所述第一区域处的透射率比所述第二区域处的透射率高。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述导线中的所述一些导线之间的间距比所述剩余导线之间的间距大。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在所述平面图中,从所述导线中的一条导线到所述基体基底的边缘的最短距离小于从所述对准标记到所述基体基底的所述边缘的最短距离。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述对准标记包括对准图案,并且
所述对准图案彼此间隔开,并且相邻的对准图案具有不同的平面形状。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中:
所述对准图案沿着第一方向顺序地布置,
所述对准图案中的每个在所述第一方向上的长度大于所述对准图案中的所述每个在第二方向上的宽度,
所述第二方向垂直于所述第一方向,并且
在所述第一方向上所述对准图案之间的间距小于所述长度。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中:
在所述第一方向上的所述长度在100μm至500μm的范围内,并且
在所述第二方向上的所述宽度在30μm至150μm的范围内。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其中,在所述第一方向上的所述长度是在所述第二方向上的所述宽度的3倍至6倍。
9.根据权利要求6所述的显示装置,其中:
所述对准图案中的一个具有矩形的平面形状,并且
所述对准图案中的另一个具有三角形的平面形状。
10.根据权利要求5所述的显示装置,其中:
所述对准标记包括顺序地布置的第一对准图案、第二对准图案和第三对准图案,并且
所述第一对准图案和所述第三对准图案具有相同的平面形状。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述导线中的所述一些导线包括沿着所述显示区域的边缘延伸的裂纹检测线,并且
所述裂纹检测线与所述至少一个晶体管电隔离。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述显示装置的侧表面与平行于所述基体基底的厚度方向的线形成锐角。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述至少一个晶体管包括:
半导体图案,设置在所述基体基底上;
栅电极,位于所述半导体图案上并且与所述半导体图案叠置;
第一绝缘层,设置在所述栅电极上;以及
源电极和漏电极,位于所述第一绝缘层上。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述导线中的所述一些导线与所述栅电极设置在同一层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的