[发明专利]显示装置和电子装置在审
申请号: | 202010406218.2 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN111952338A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 林相勳;金玲官;李普爀;金振亨;吴荣珍;姜球贤;张成镇 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 电子 装置 | ||
提供了一种显示装置和一种电子装置,所述显示装置包括:基体基底,包括显示区域和定位在显示区域的侧面处的非显示区域;至少一个晶体管和导线,至少一个晶体管位于基体基底的显示区域中,导线位于基体基底的非显示区域中;至少一个发光元件,位于显示区域中并结合到至少一个晶体管;封装层,覆盖发光元件;感测电极和感测线,感测电极位于封装层上,感测线位于封装层上并结合到感测电极;以及对准标记,位于封装层上,并且在平面图中在非显示区域中与导线中的一些导线至少部分地叠置。
本申请要求于2019年5月14日提交的第10-2019-0056485号韩国专利申请的优先权和权益,出于所有目的,该韩国专利申请通过引用而被包含于此,如同在这里所充分阐述的一样。
技术领域
发明总体上涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种具有对准标记以在制造期间促进装置的层的组装的显示装置。
背景技术
显示装置可以包括其上显示图像的显示面板和设置在显示面板上以保护显示面板的窗。
为了在将窗结合到显示面板的过程中识别显示面板的位置,显示面板包括用于位置识别的对准标记。
这种对准标记设置在显示面板的非显示区域(即,其中不显示图像的区域)中,并且在非显示区域中可能由于对准标记的设计限制而出现无效区。
近来,对于减小与非显示区域对应的边框的尺寸并使对于显示面板的显示区域的可用空间最大化的需求已经增加。因此,已经对用于使由于对准标记引起的无效区最小化的各种方案进行了大量研究。
本背景技术部分中公开的上面的信息仅用于理解发明构思的背景技术,因此,其可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
申请人意识到,通过调整信号线相对于对准标记的间距,可以使显示装置的非显示区域中的无效区的量最小化。
根据发明的原理和示例性实施例构造的电子装置和显示装置在围绕显示区域的边框区域中具有减小的无效区。可以通过将对准标记定位为与最外面的线中的至少一些线叠置或被设置为与最外面的线相邻来实现减小的无效区。最外面的线可以具有减小的密度(间距)从而允许更大的透光率。
将在下面的描述中阐述发明构思的附加特征,所述附加特征将通过描述部分地变得清楚,或者可以通过发明构思的实践而被了解。
根据发明的一个方面,显示装置包括:基体基底,包括显示区域和定位在显示区域的侧面处的非显示区域;至少一个晶体管和导线,至少一个晶体管位于基体基底的显示区域中,导线位于基体基底的非显示区域中;至少一个发光元件,位于显示区域中并结合到至少一个晶体管;封装层,覆盖发光元件;感测电极和感测线,感测电极位于封装层上,感测线位于封装层上并结合到感测电极;以及对准标记,位于封装层上,并且在平面图中在非显示区域中与导线中的一些导线至少部分地叠置。
导线中的一些导线可以设置在基体基底的第一区域中,导线中的剩余导线可以设置在基体基底的第二区域中,并且第一区域处透射率可以比第二区域处的透射率高。
导线中的一些导线之间的间距可以比剩余导线之间的间距大。
在平面图中,从导线中的一条导线到基体基底的边缘的最短距离可以小于从对准标记到基体基底的边缘的最短距离。
对准标记可以包括对准图案,对准图案可以彼此间隔开,相邻的对准图案可以具有不同的平面形状。
对准图案可以沿着第一方向顺序地布置,对准图案中的每个在第一方向上的长度可以大于对准图案中的所述每个在第二方向上的宽度,第二方向可以大致垂直于第一方向,并且在第一方向上对准图案之间的间距可以小于长度。
在第一方向上的长度可以在约100μm至约500μm的范围内,在第二方向上的宽度可以在约30μm至约150μm的范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的