[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法

说明书

本文描述了半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。一种半导体存储器装置包括堆叠结构，该堆叠结构包括在半导体衬底上被堆叠为彼此间隔开的用于局部线路的多个导电层，该半导体衬底由单元区域和缩小区域限定，其中用于局部线路的多个导电层以阶梯结构被堆叠在缩小区域中。该半导体存储器装置还包括多个接触插塞，多个接触插塞被形成以穿透缩小区域中的堆叠结构，多个接触插塞分别对应于用于局部线路的多个导电层。多个接触插塞中的每一个包括水平突出的突出部分，并且该突出部分连接到用于局部线路的多个导电层之中的对应的用于局部线路的导电层。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年10月1日提交的韩国专利申请号10-2019-0121697的优先权，其全部公开通过引用并入本文。

技术领域

本公开一般地涉及电子装置，并且更具体地涉及半导体存储器装置及其制造方法。

背景技术

半导体装置特别是半导体存储器装置通常分为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。

非易失性存储器装置具有相对较慢的写入和读取速度，但是即使在电源供应中断时也保留存储的数据。因此，无论是否提供电源，非易失性存储器装置用于存储要保留的数据。易失性存储器的示例包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM、磁性RAM、电阻式RAM、铁电RAM等。闪存分为NOR型闪存或NAND型闪存。

闪存具有RAM的数据被自由编程和擦除的优点以及ROM的即使在电源供应中断时也能够保存存储的数据的优点。闪存被广泛用作便携式电子装置的存储介质，诸如数字相机、个人数字助理(PDA)和MP3播放器。

闪存装置可以分为在半导体衬底上水平地形成串的二维半导体存储器装置或在半导体衬底上垂直地形成串的三维半导体存储器装置。

三维半导体存储器装置是为了克服二维存储器装置的集成程度限制而设计的存储器装置，并且包括垂直地形成在半导体衬底上的多个通道插塞。这些通道插塞可以包括漏极选择晶体管、存储器单元和源极选择晶体管，它们串联连接在位线和源极线之间。

发明内容

根据本公开的实施例，一种半导体存储器装置包括堆叠结构，该堆叠结构包括在半导体衬底上被堆叠为彼此间隔开的用于局部线路的多个导电层，该半导体衬底由单元区域和缩小区域限定，其中用于局部线路的多个导电层在缩小区域中以阶梯结构被堆叠。该半导体存储器装置还包括多个接触插塞，多个接触插塞形成以穿透缩小区域中的堆叠结构，多个接触插塞分别对应于用于局部线路的多个导电层。多个接触插塞中的每一个包括水平突出的突出部分，并且该突出部分连接到用于局部线路的多个导电层之中的对应的用于局部线路的导电层。

根据本公开的另一个实施例，一种半导体存储器装置包括形成在半导体衬底上的外围电路结构和形成在外围电路结构上方的存储器单元阵列。该半导体存储器装置还包括穿透存储器单元阵列的缩小区域的多个接触插塞，多个接触插塞连接到外围电路结构的多个金属线路。该存储器单元阵列包括在缩小区域中以阶梯结构堆叠的用于局部线路的多个导电层。此外，多个接触插塞中的每一个包括水平突出的突出部分，并且该突出部分连接到用于局部线路的多个导电层中的对应的用于局部线路的导电层。