[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底内形成有相邻接的阱区和漂移区，所述漂移区中具有漏区；

在所述阱区和漂移区交界处的所述基底上形成栅极结构；

在所述漏区形成漏极；

在所述栅极结构以及所述栅极结构露出的所述基底上形成硅化物阻挡材料层；

在所述硅化物阻挡材料层中掺杂离子，且掺杂离子掺杂在所述硅化物阻挡材料层的底部；

掺杂离子后，图形化所述硅化物阻挡材料层，在所述漏区和所述栅极结构之间的所述漂移区上形成所述硅化物阻挡层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：在形成所述栅极结构后，形成所述硅化物阻挡材料层前，在所述栅极结构以及所述栅极结构露出的所述基底上形成第一阻挡材料层；

形成所述硅化物阻挡材料层的步骤中，所述硅化物阻挡材料层形成在所述第一阻挡材料层上；

图形化所述硅化物阻挡材料层后，还图形化所述第一阻挡材料层，形成第一阻挡层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：掺杂离子后，图形化所述硅化物阻挡材料层前，在所述硅化物阻挡材料层上形成第二阻挡材料层；图形化所述第二阻挡材料层，形成第二阻挡层。

4.如权利要求1至3任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述硅化物阻挡材料层中掺杂离子的步骤中，掺杂的离子包括C、N或F。

5.如权利要求1至3任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用离子注入工艺或者等离子体注入工艺在所述硅化物阻挡材料层中掺杂离子。

6.如权利要求1至3任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用离子注入方式在所述硅化物阻挡材料层中掺杂离子，掺杂离子的工艺参数包括：掺杂剂量为3E14原子每平方厘米至2E15原子每平方厘米，掺杂离子的入射方向与所述基底表面法线的夹角小于5°，掺杂离子的注入能量为1Kev至5Kev。

7.如权利要求1至3任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述硅化物阻挡材料层的步骤中，所述硅化物阻挡材料层的厚度为30纳米至80纳米。

8.如权利要求1至3任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述硅化物阻挡材料层的材料为低k介质材料。

9.如权利要求8任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述硅化物阻挡材料层的材料包括：SiCN、SiCO、SiON或SiBCN。

10.如权利要求1至3任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成所述硅化物阻挡材料层。

11.如权利要求1至3任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述漏极和所述硅化物阻挡层的形成步骤包括：形成所述漏极；形成所述漏极后，形成所述硅化物阻挡层；

或者，形成所述硅化物阻挡层；形成所述硅化物阻挡层后，形成所述漏极。

12.如权利要求2或3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡材料层包括阻挡宿主材料和掺杂在阻挡宿主材料中的掺杂离子，所述阻挡宿主材料包括：SiN、SiON、SiBCN和SiCN中的一种或多种，掺杂离子包括C、N、F和B中的一种或多种。