[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
申请号: | 202010406717.1 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN113675087A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 赵猛 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/3115;H01L29/06;H01L29/78 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 吴凡;高静 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底内形成有相邻接的阱区和漂移区,漂移区中具有漏区;在阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极结构;在栅极结构以及栅极结构露出基底上形成硅化物阻挡材料层;在硅化物阻挡材料层中掺杂离子,且掺杂离子掺杂在硅化物阻挡材料层的底部;图形化硅化物阻挡材料层,在漏区和栅极结构之间的漂移区上形成硅化物阻挡层。掺杂离子与硅化物阻挡材料层底部的悬挂键结合形成饱和键,能够减少硅化物阻挡材料层底部界面的电荷,且掺杂在硅化物阻挡材料层底部的离子具有自身的电场,能够干扰硅化物阻挡层中原有的电场线分布,从而硅化物阻挡层中的电荷不易进入漂移区中,使得半导体结构的击穿电压较高。
技术领域
本发明实施例涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
背景技术
在功率集成电路的发展中,为了将功率开关以及控制电路整合在一起而开发的单芯片制程,尤其是目前用于制作单片集成电路的横向二次扩散金属氧化物半导体(lateraldouble diffusion MOS,LDMOS)制程,为一主流趋势。LDMOS制程是于半导体基板的表面进行平面扩散(planar diffusion)以便形成横向的主要电流路径,由于LDMOS是以典型的IC制程所制造,因此控制电路与LDMOS可以整合在一个单片电源IC上,LDMOS制程采用表面电场缩减(reduced surface electric field,RESURE)技术与低厚度外延(BPI)或N型阱区(N-well),可以达到高电压与低导通阻抗的目标。
LDMOS器件为近似于传统场效应晶体管(FET)器件FET器件的一种场效应晶体管器件(FET),皆包括在半导体衬底中形成一对被沟道区域所分隔开来的源/漏极区域,并且依次于沟道区域上方形成栅电极,然而,LDMOS器件与传统FET器件不同的是传统的FET器件中的一对源/漏极区域制成与栅电极相对称,而LDMOS器件中的漏极区域比源极区域更远离栅电极,并且漏极区域同时形成于用以分隔开沟道区域与漏极区域的掺杂阱(具有与漏极区域相同极性)中。
发明内容
本发明实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法,优化半导体结构的电学性能。
为解决上述问题,本发明实施例提供一种半导体结构,包括:提供基底,所述基底内形成有相邻接的阱区和漂移区,所述漂移区中具有漏区;在所述阱区和漂移区交界处的所述基底上形成栅极结构;在所述漏区形成漏极;在所述栅极结构以及所述栅极结构露出的所述基底上形成硅化物阻挡材料层;在所述硅化物阻挡材料层中掺杂离子,且掺杂离子掺杂在所述硅化物阻挡材料层的底部;掺杂离子后,图形化所述硅化物阻挡材料层,在所述漏区和所述栅极结构之间的所述漂移区上形成所述硅化物阻挡层。
相应的,本发明实施例还提供一种半导体结构的形成方法,包括:基底,所述基底内具有相邻接的阱区和漂移区;栅极结构,位于所述阱区和漂移区交界处的所述基底上;漏极,位于所述栅极结构一侧的所述漂移区内;硅化物阻挡层,位于所述栅极结构和漏极之间的所述漂移区上,所述硅化物阻挡层中具有掺杂离子,且掺杂离子位于所述硅化物阻挡层的底部。
与现有技术相比,本发明实施例的技术方案具有以下优点:
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