[发明专利]去除半导体设备不锈钢部件钛及氮化钛沉积膜的工艺

权利要求书

1.去除半导体设备不锈钢部件钛及氮化钛沉积膜的工艺，其特征在于，具体步骤如下：

步骤一：配置IPA溶液，所述IPA溶液液位高于待去膜不锈钢部件；

步骤二：将待去膜不锈钢部件浸泡在IPA溶液中一段时间；

步骤三：配置氢氟酸及硝酸的混合酸溶液a；

步骤四：把待去膜不锈钢部件从IPA溶液中取出，并沥干残余液体后，浸泡在混合酸溶液a中一段时间；

步骤五：将待去膜不锈钢部件从混合酸溶液a中取出，进行高压水洗；

步骤六：高压水洗后将待去膜不锈钢部件外侧光滑面进行打磨抛光；

步骤七：打磨抛光后将待去膜不锈钢部件放入氢氟酸及硝酸的混合酸溶液b中一段时间；

步骤八：对待去膜不锈钢部件进行高压水洗；

步骤九：高压水洗后将待去膜不锈钢部件进行烘干；

步骤十：烘干后用喷砂机对待去膜不锈钢部件喷砂面进行重新喷砂；

步骤十一：将待去膜不锈钢部件放入硝酸与水的溶液中浸泡；

步骤十二：对待去膜不锈钢部件再次进行高压水洗；

步骤十三：采用超声波对待去膜不锈钢部件进行清洗；

步骤十四：获得已去膜不锈钢部件进行最终烘干；

混合酸溶液a是氢氟酸HF及硝酸HNO₃的混合，其混合体积比为1:7；在混合酸溶液a中浸泡时间为1.5~2小时；所述氢氟酸HF及硝酸HNO₃均为MOS级的特纯试剂；

步骤五、步骤八和步骤十二中高压水洗是采用高压水枪进行冲洗，压力设置为：1800~2000psi/2min；

步骤十中喷砂机压力设置为0.4~0.6兆帕；砂的粗糙度Ra为：5~7um；

步骤十一中硝酸HNO₃与水H₂O体积比为1:4，待去膜不锈钢部件在硝酸HNO₃与水H₂O的溶液中浸泡40~50min。

2.根据权利要求1所述去除半导体设备不锈钢部件钛及氮化钛沉积膜的工艺，其特征在于，步骤二中待去膜不锈钢部件浸泡在IPA溶液中25-35min，利用IPA溶液进行去膜前的脱脂清洗及预处理。

3.根据权利要求1所述去除半导体设备不锈钢部件钛及氮化钛沉积膜的工艺，其特征在于，混合酸溶液b是氢氟酸HF及硝酸HNO₃的混合，其混合体积比为1:20；在混合酸溶液b中浸泡时间为30s~60s。

4.根据权利要求1所述去除半导体设备不锈钢部件钛及氮化钛沉积膜的工艺，其特征在于，步骤十三中超声波清洗，需要洁净度至少在1000级以上的无尘室中进行；超声强度为：15+/-3 w/inch²；超声波清洗时间：30min以上；清洗用水均为电导率为18-18.5兆欧的超纯水。

5.根据权利要求1所述去除半导体设备不锈钢部件钛及氮化钛沉积膜的工艺，其特征在于，步骤九中烘干温度设置为100-120℃，烘干温度设置为1-1.5h；步骤十四需要洁净度至少在1000级以上的无尘室中进行，无尘烘箱的烘干温度设置为140-160℃，烘干温度设置为1.5-2.5h。