[发明专利]去除半导体设备不锈钢部件钛及氮化钛沉积膜的工艺

说明书

本发明公开了一种去除半导体设备不锈钢部件钛及氮化钛沉积膜的工艺，属于半导体设备部件清洗翻新技术领域，包括配置IPA溶液，所述IPA溶液液位高于待去膜不锈钢部件；将待去膜不锈钢部件浸泡在IPA溶液中；配置氢氟酸及硝酸的混合酸溶液a；把待去膜不锈钢部件浸泡在混合酸溶液a中；进行高压水洗；将待去膜不锈钢部件外侧光滑面进行打磨抛光；将待去膜不锈钢部件放入氢氟酸及硝酸的混合酸溶液b中一段时间；对待去膜不锈钢部件进行高压水洗；高压水洗后将待去膜不锈钢部件进行烘干。该工艺在充分保护部件本体不被腐蚀损耗的情况下，去除表面已经沉积的钛及氮化钛残膜，使其表面绝对洁净，能够达到设备腔体内的微环境使用要求。

技术领域

本发明涉及半导体设备部件清洗翻新技术领域，具体涉及去除半导体设备不锈钢部件钛及氮化钛沉积膜的工艺。

背景技术

半导体物理气相沉积(PVD)钛及氮化钛技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源—钛及氮化钛靶材原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积钛及氮化钛薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。

半导体制程工艺中设备的不锈钢部件内腔会沉积钛及氮化钛残膜，如果不对其清洗，只能采用新的部件，这将会增加半导体制造公司生成成本，浪费资源，降低了产品部件利用率。

发明内容

本申请提供了一种去除半导体设备不锈钢部件钛及氮化钛沉积膜的工艺，在充分保护部件本体不被腐蚀损耗的情况下，去除表面已经沉积的钛及氮化钛残膜，使其表面绝对洁净，能够达到设备腔体内的微环境使用要求。

为实现上述目的，本申请的技术方案为：去除半导体设备不锈钢部件钛及氮化钛沉积膜的工艺，具体步骤如下：

步骤一：配置IPA溶液，所述IPA溶液液位高于待去膜不锈钢部件；

步骤二：将待去膜不锈钢部件浸泡在IPA溶液中25-35min，去除表面油污及灰尘颗粒；

步骤三：配置氢氟酸及硝酸比例为1:7的混合酸溶液；

步骤四：把待去膜不锈钢部件从IPA溶液中取出，并沥干残余液体后，浸泡在混合酸溶液中1.5～2小时；

步骤五：将待去膜不锈钢部件从混合酸溶液中取出，进行高压水洗，其压力设置为1800～2000psi/2min；

步骤六：高压水洗后将待去膜不锈钢部件外侧光滑面进行工业菜瓜布打磨抛光，去除表面印记及划痕，使表面光洁如新；

步骤七：打磨抛光后将待去膜不锈钢部件放入氢氟酸及硝酸比例为1:20的混合酸溶液中，进行酸洗30s～60s；

步骤八：进行高压水洗，压力设置为1800～2000psi/2min；

步骤九：将待去膜不锈钢部件进行烘干，烘干温度设置为100-120℃，烘干温度设置为1-1.5h；

步骤十：用喷砂机对待去膜不锈钢部件喷砂面进行重新喷砂，喷砂压力为：0.4～0.6兆帕；粗糙度Ra为：5～7um；

步骤十一：将待去膜不锈钢部件放入HNO₃与水为1:4的溶液中，浸泡40～50min；

步骤十二：再进行高压水洗，压力设置为1800～2000psi/2min；

步骤十三：采用超声波对待去膜不锈钢部件进行清洗，此步骤需要洁净度至少在1000级以上的无尘室中进行；超声强度：15+/-3w/inch²；超声波清洗时间：30min以上；清洗用水均为电导率为18-18.5兆欧的超纯水；