[发明专利]一种双测时模式TDC芯片设计制造在审
申请号: | 202010407478.1 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN111723539A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 叶茂;戴庆达;赵毅强 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G06F30/32 | 分类号: | G06F30/32 |
代理公司: | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人: | 韩新城 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测时 模式 tdc 芯片 设计 制造 | ||
本发明公开一种双测时模式TDC芯片设计与制造,低功耗模式下,采用抽头延迟线测时电路完成测量,该电路的主体为延迟链,测时结构简单。高精度测量模式下,采用并行斐不拉基延迟线测时电路,该电路由四条延迟链并行构建,各延迟链包含四种不同延时单元,采用斐不拉基构建方案,延时单元由反相器级联而成,通过调整各单元中晶体管的宽长比来调整延时时间。温度对TDC芯片的影响不可忽视,基于前者电路,构造17行s列的矩阵M和Mθ,基于参数AT完成电路性能评估。基于后者电路,依次构造F1,F2,F3,F4,FT1,FT2,FT3,FT4,基于参数BT评估电路性能并完成良品筛选。
技术领域
本发明涉及高精度时间测量技术领域,特别是涉及一种双测时模式TDC芯片设计制造。
背景技术
TDC(Time to digital converter)即时间数字转换电路。作为高精度时间测量电路,该技术广泛用于激光测距、激光三维成像、天文实验、高能物理粒子实验、正电子发射断层扫描(PET)成像等领域。TDC电路的分辨率、RMS精度、DNL/INL、功耗等性能指标直接影响着这些应用的效能。
常规TDC电路的测量方案包括计数器直接计数测量、电流积分测量、时间放大测量、游标测量、时间内插测量等等。TDC电路的性能指标也容易受温度、电压和工艺水平的影响。针对多通道TDC电路,需设计有效方案降低功耗,总结说来,TDC根据实现方案,分为模拟电路结构和数字电路结构。模拟TDC电路借助电容的充放电实现时间放大,例如时间间隔扩展法和时间幅度转换法,但是该方法存在非线性问题和大规模集成问题。数字型TDC基于延时单元链,可采用游标法、多相位时钟等方法实现高分辨率。
目前,德国ACAM公司设计的TDC-GP系列芯片具有高分辨率和优良的DNL/INL性能指标,但存在测量范围的局限性。该系列芯片采用抽头延迟链架构。TDC-GP21和TDC-GP22芯片的单通道测量分辨率为90ps,双精度模式45ps,四精度模式22ps,环境温度为-40℃~85℃。
TDC电路根据设计方案,分为基于FPGA和ASIC两种设计方案。基于FPGA设计TDC的技术优点包括可进行反复编程、规避开发风险、开发周期短和成本低廉。设计人员可基于FPGA内部大量的编程逻辑单元和布线资源搭建电路系统,但该方案实现的TDC电路分辨率不高、DNL/INL数值过大,测量数据易受温度和电压的影响。定制ASIC芯片不仅能实现极高的测量分辨率,而且DNL/INL数值低,线性度良好,但该方案开发周期长、成本昂贵且具有较高的开发风险,利用这种测量方法能够达到的测量精度可优于10ps。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中的缺陷,而提供一种双测时模式TDC芯片设计制造,用以精密测量信号start与信号stop之间时间间隔ΔT,所述的TDC芯片包含抽头延迟线测时电路和并行斐不拉基延迟线测时电路,基于矩阵F范数完成电路性能评估。
为实现本发明的目的所采用的技术方案是:
一种双测时模式TDC芯片设计制造,于两种工作模式完成电路设计,低功耗模式下,设计抽头延迟线测时电路;高精度模式下,设计并行斐不拉基延迟线测时电路:
抽头延迟线测时电路中,针对某一时间间隔ΔT进行测量,主体电路为延迟链,延迟链由若干个延时单元级联而成,各延时单元输出端接入D触发器;信号start输入延迟链并稳定传送,当stop信号到来时完成采样并记录信号start通过延时单元的数目n;τ为延时单元的延时时间,Δτ为测时误差,即有
ΔT=n*τ+Δτ(Δτ<τ)
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