[发明专利]在基板上蚀刻镍的方法及半导体基板在审
| 申请号： | 202010407528.6 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111952192A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 高草木贞道 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 马芬;王琳 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板上 蚀刻 方法 半导体 | ||
1.一种在基板上蚀刻镍的方法，所述方法包括：
提供介电层；
将铜层与所述介电层的第一侧耦接；
用镍层镀覆所述铜层的第一侧；
在所述镍层上形成图案化层；
使用蚀刻剂对所述镍层进行喷蚀；
将所述蚀刻剂在所述介电层上保持预定时间段；以及
在保持所述蚀刻剂的同时，对所述镍层进行蚀刻，直到所述镍层与所述铜层中的多个迹线中的每一个迹线的周边基本上共延。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻剂包含氯化铁。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定时间段在60秒至90秒的范围内，并且其中，保持所述蚀刻剂还包括将所述蚀刻剂保持在43摄氏度至47摄氏度范围内的温度下。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述镍层进行喷蚀还包括在220千帕至280千帕范围内的压力下喷涂所述蚀刻剂。
5.一种在基板上蚀刻镍的方法，所述方法包括：
提供介电层；
将铜层与所述介电层的第一侧耦接；
用镍层镀覆所述铜层的第一侧；
在所述镍层上形成图案化层；
使用蚀刻剂对所述镍层进行喷蚀；
将所述蚀刻剂在所述介电层上保持预定时间段，所述预定时间段在60秒至90秒的范围内；以及
在保持所述蚀刻剂的同时，对所述镍层进行蚀刻，直到所述镍层与所述铜层中的多个迹线中的每一个迹线的周边基本上共延。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述蚀刻剂包含氯化铁。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，保持所述蚀刻剂还包括将所述蚀刻剂保持在43摄氏度至47摄氏度范围内的温度下，并且其中，对所述镍层进行喷蚀还包括在220千帕至280千帕范围内的压力下喷涂所述蚀刻剂。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述镍层具有在1微米至7微米范围内的厚度，并且所述铜层具有在70微米至1,000微米范围内的厚度。
9.一种半导体基板，所述半导体基板包括：
介电层；
铜层，所述铜层耦接至所述介电层的第一侧，所述铜层包括形成于其中的一个或多个迹线，所述一个或多个迹线中的每个迹线都包括周边；以及
镍层，所述镍层耦接至所述铜层的与所述介电层相反的一侧上；
其中，所述镍层基本上不悬伸于所述一个或多个迹线中的每个迹线的所述周边之上。
10.根据权利要求9所述的半导体基板，其中，所述镍层的周边与所述一个或多个迹线中的每个迹线的所述周边基本上共延。
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