[发明专利]在基板上蚀刻镍的方法及半导体基板

说明书

本发明公开一种在基板上蚀刻镍的方法及半导体基板。具体的实施方式可包括：提供介电层；将铜层与介电层的第一侧耦接；用镍层镀覆铜层的第一侧；在镍层上形成图案化层；以及使用蚀刻剂对镍层进行喷蚀。方法可包括：将蚀刻剂在介电层上保持预定时间段；以及在保持蚀刻剂的同时，基本上仅蚀刻镍层，直到镍层可与铜层中的多个迹线中的每一个迹线的周边基本上共延。

相关申请的交叉引用

本申请要求授予Takakusaki等人的名称为“蚀刻的镀镍基板和相关方法(ETCHEDNICKEL PLATED SUBSTRATE AND RELATED METHODS)”的美国临时专利申请62/848,182的提交日期的权益，该申请提交于2019年5月15日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。

技术领域

本文件的各方面整体涉及在基板上蚀刻镍的方法及半导体基板，诸如镀覆有各种金属的那些半导体基板。

背景技术

半导体基板可以是用各种金属电镀的或化学镀覆的。使用其上具有各种金属的半导体基板来在各种半导体器件和耦接至半导体器件的无源部件之间路由信号和功率。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了一种在基板上蚀刻镍的方法，包括：提供介电层；将铜层与所述介电层的第一侧耦接；用镍层镀覆所述铜层的第一侧；在所述镍层上形成图案化层；以及使用蚀刻剂对所述镍层进行喷蚀。该方法还可包括：将所述蚀刻剂在所述介电层上保持预定时间段；以及在保持蚀刻剂的同时，对镍层进行蚀刻，直到镍层可与铜层中的多个迹线中的每一个迹线的周边基本上共延。

在基板上蚀刻镍的方法的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：

蚀刻剂可包含氯化铁。

预定时间段可在60秒至90秒的范围内。

镍层可包括化学镀镍。

可通过丝网印刷、模版或光致抗蚀剂形成图案化层。

保持蚀刻剂还可包括将蚀刻剂保持在43摄氏度至47摄氏度范围内的温度下。

对镍层进行喷蚀还可包括在220千帕至280千帕范围内的压力下喷涂蚀刻剂。

镍层可具有在1微米至7微米范围内的厚度，并且铜层可具有在70微米至1,000微米范围内的厚度。

该方法还可包括剥离图案化层。

根据本发明的第二方面，提供了一种在基板上蚀刻镍的方法，包括：提供介电层；将铜层与所述介电层的第一侧耦接；用镍层镀覆所述铜层的第一侧；在所述镍层上形成图案化层；以及使用蚀刻剂对所述镍层进行喷蚀。该方法还可包括：将所述蚀刻剂在所述介电层上保持预定时间段，所述预定时间段在60秒至90秒的范围内；以及在保持蚀刻剂的同时，对镍层进行蚀刻，直到镍层可与铜层中的多个迹线中的每一个迹线的周边基本上共延。

在基板上蚀刻镍的方法的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：

蚀刻剂可包含氯化铁。

可通过丝网印刷、模版或光致抗蚀剂形成图案化层。

保持蚀刻剂还可包括将蚀刻剂保持在43摄氏度至47摄氏度范围内的温度下。

对镍层进行喷蚀还可包括在220千帕至280千帕范围内的压力下喷涂蚀刻剂。

镍层可具有在1微米至7微米范围内的厚度，并且铜层可具有在70微米至1,000微米范围内的厚度。