[发明专利]一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备在审
申请号: | 202010407986.X | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN111549375A | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 谈逊;谈谦 | 申请(专利权)人: | 华厦半导体(深圳)有限公司 |
主分类号: | C30B25/14 | 分类号: | C30B25/14;C30B25/08;C30B29/40 |
代理公司: | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人: | 郭艳艳 |
地址: | 518100 广东省深圳市龙岗区坪地街道坪西社*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量产 氮化 立式 hpve 设备 | ||
1.一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备,其特征在于,包括立式箱体;所述立式箱体由上至下设置有第一生长室、第一气室、第二气室和第二生长室;
所述第一生长室与第一气室相连通,并在其内活动设置有反应皿;所述第一气室和第二气室的侧壁上端均设置有若干呈倾斜状的气流喷口;且所述第一气室和第二气室底部分别延伸至第二生长室内的第三出气管和第四出气管。
2.根据权利要求1所述的可量产氮化镓的全立式HPVE设备,其特征在于,所述反应皿滑动设置于第一生长室内,其包括若干支撑件;所述支撑件之间具有间隙,形成通孔;所述支撑件由上至下包括载物层和第三加热层;所述载物层上设置有至少一份位于通孔内的镓源。
3.根据权利要求2所述的可量产氮化镓的全立式HPVE设备,其特征在于,所述第三加热层上开有滑槽,所述载物层底部设置有滑动嵌入滑槽内的凸棱;同时,所述载物层端部设置有覆盖在第三加热层端部上的凸出块;所述凸出块朝向第三加热层的一侧设置有嵌入第三加热层端部内的限位柱。
4.根据权利要求2所述的可量产氮化镓的全立式HPVE设备,其特征在于,所述通孔形状为正六方形。
5.根据权利要求1所述的可量产氮化镓的全立式HPVE设备,其特征在于,所述第一生长室一端通过螺纹与盖帽连接;所述盖帽上开有第一进气口;另一端通过弧形弯管与设置于第一气室侧壁上端内的气流喷口连通。
6.根据权利要求1所述的可量产氮化镓的全立式HPVE设备,其特征在于,所述第二气室通过气流喷口与第二进气口连通。
7.根据权利要求5或6所述的可量产氮化镓的全立式HPVE设备,其特征在于,所述气流喷口均沿同一方向倾斜,其倾斜角度为30~60°。
8.根据权利要求1所述的可量产氮化镓的全立式HPVE设备,其特征在于,所述第一气室底部两侧分别设置有相连通,且延伸至第二气室下方的第一出气管和第二出气管;所述第一出气管和第二出气管位于第二气室下方处设置有若干延伸至第二生长室内的第三出气管;所述第二气室底部设置有若干延伸至第二生长室内,且将第三出气管环绕的第四出气管。
9.根据权利要求1所述的可量产氮化镓的全立式HPVE设备,其特征在于,所述第二生长室内设置有支撑台;所述支撑台上转动设置有若干位于第三出气管和第四出气管正下方的衬底;且所述第二生长室侧壁设置有第一加热层。
10.根据权利要求9所述的可量产氮化镓的全立式HPVE设备,其特征在于,所述支撑台的朝向第二气室的一面转动设置有若干衬底,另一面设置有第二加热层。
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