[发明专利]一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备

说明书

本发明公开了一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备，包括立式箱体；立式箱体由上至下设置有第一生长室、第一气室、第二气室和第二生长室；第一生长室与第一气室相连通，并在其内活动设置有反应皿；第一气室和第二气室的侧壁上端均设置有若干呈倾斜状的气流喷口；且第一气室和第二气室底部分别延伸至第二生长室内的第三出气管和第四出气管。本装置能够使得在进入第二生长内的气体保持其均匀性，保证了氮化镓的均衡生长。

技术领域

本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种用于制备淡化的立式装置。

背景技术

GaN(含氮化镓的相关化合物：氮化铝、氮化铟、氮化镓铝、氮化镓铟等)是继硅和砷化镓后第三代半导体材料，是制作蓝光—紫外光波的发光器件(发光二极管和激光二极管)、探测器以及高温、高频、大功率电子器件的优良材料。氮化镓半导体效率是硅半导体效率的100-100倍。此外，这种位错密度为5*10/cm的氮化镓LED材料可以生产比传统LED效率高两倍的LED。

但是现有设备在制备氮化镓时，由于设备装置直径偏小，大大限制了衬底的尺寸和数量，同时，也存在镓源利用率不高、氮化镓生长室内气体不均匀，导致衬底上氮化镓附着不均匀的问题。

发明内容

针对现有技术中的上述不足，本发明提供一种用于制备淡化的立式装置，可有效解决现有装置镓源利用率不高、氮化镓在衬底上附着率低的问题。

为实现上述目的，本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备，包括立式箱体；立式箱体由上至下设置有第一生长室、第一气室、第二气室和第二生长室；

第一生长室与第一气室相连通，并在其内活动设置有反应皿；第一气室和第二气室的侧壁上端均设置有若干呈倾斜状的气流喷口；且第一气室和第二气室底部分别延伸至第二生长室内的第三出气管和第四出气管。

进一步地，反应皿滑动设置于第一生长室内，其包括若干支撑件；支撑件之间具有间隙，形成通孔；支撑件由上至下包括载物层和第三加热层；载物层上设置有至少一份位于通孔内的镓源。

进一步地，第三加热层上开有滑槽，载物层底部设置有滑动嵌入滑槽内的凸棱；同时，载物层端部设置有覆盖在第三加热层端部上的凸出块；凸出块朝向第三加热层的一侧设置有嵌入第三加热层端部内的限位柱。

进一步地，通孔形状为正六方形。

进一步地，第一生长室一端通过螺纹与盖帽连接；盖帽上开有第一进气口；另一端通过弧形弯管与设置于第一气室侧壁上端内的气流喷口连通。

进一步地，第二气室通过气流喷口与第二进气口连通。

进一步地，气流喷口均沿同一方向倾斜，其倾斜角度为30～60°。

进一步地，第一气室底部两侧分别设置有相连通，且延伸至第二气室下方的第一出气管和第二出气管；第一出气管和第二出气管位于第二气室下方处设置有若干延伸至第二生长室内的第三出气管；第二气室底部设置有若干延伸至第二生长室内，且将第三出气管环绕的第四出气管。

进一步地，第二生长室内设置有支撑台；支撑台上转动设置有若干位于第三出气管和第四出气管正下方的衬底；且第二生长室侧壁设置有第一加热层。

进一步地，支撑台的朝向第二气室的一面转动设置有若干衬底，另一面设置有第二加热层。

本发明的有益效果为：

1、通过在第一气室和第二气室侧壁上开设呈倾斜状的气流喷口，使得进入第一气室和第二气室内的气体能形成稳定的螺旋气流，保证第一气室和第二气室内的气体充分的均匀分布，从而可有效的保证进入第二生长室内的气体的均匀性，也就保证了氮化镓在衬底上的均匀生长。