[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202010408963.0 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN111952270A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 川岛崇功;门口卓矢;浦本幸治;小川泰弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H01L23/492 | 分类号: | H01L23/492;H01L23/488 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何冲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
半导体元件;
密封体,密封所述半导体元件;以及
导体部件,在所述密封体的内部经由焊料层与所述半导体元件接合,
所述导体部件具有与所述焊料层接触的接合面和从所述接合面的周缘延伸的侧面,
在所述侧面设置有非粗糙化区域和表面粗糙度大于所述非粗糙化区域的粗糙化区域,
所述非粗糙化区域与所述接合面的所述周缘相邻。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述粗糙化区域位于与所述接合面的所述周缘分离的位置。
3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置,其中,
所述导体部件具有板状部和从所述板状部的一个表面凸出的凸出部,
所述接合面以及所述侧面位于所述凸出部。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,
在所述板状部的所述一个表面,沿着所述凸出部的周围设置有槽,
所述非粗糙化区域从所述接合面的所述周缘延伸至所述槽。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体装置,其中,
所述侧面以越远离接合面就越向外侧偏移的方式倾斜。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体装置,其中,
所述侧面具有:沿着所述接合面的周缘排列的多个平面、和分别位于所述多个平面之中相邻的两个平面之间的多个角部,
所述粗糙化区域设置于所述多个平面之中的至少两个平面。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,
所述粗糙化区域设置于所述多个平面之中的各个平面。
8.根据权利要求6或者7所述的半导体装置,其中,
在所述多个平面之中的至少一个平面设置有2个以上的所述粗糙化区域。
9.根据权利要求6至8中任意一项所述的半导体装置,其中,
所述粗糙化区域位于与所述角部分离的范围。
10.根据权利要求6至8中任意一项所述的半导体装置,其中,
所述粗糙化区域位于包括所述角部在内的范围。
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