[发明专利]半导体装置

说明书

本发明公开一种半导体装置，包括：半导体元件；密封体，密封半导体元件；以及导体部件，在密封体的内部经由焊料层与半导体元件接合。导体部件具有与焊料层接触的接合面和从接合面的周缘延伸的侧面。在侧面设置有非粗糙化区域和表面粗糙度大于非粗糙化区域的粗糙化区域。并且，非粗糙化区域与接合面的周缘相邻。

技术领域

本说明书公开的技术涉及一种半导体装置。

背景技术

日本特开2009-146950号公报公开了一种半导体装置。该半导体装置具备半导体元件、密封半导体元件的密封体、和在密封体的内部与半导体元件接合的导体部件。半导体元件与导体部件之间经由焊料层而接合。

发明内容

在将半导体元件与导体部件之间焊接时，多余的焊料可能从半导体元件与导体部件之间溢出。此时，如果多余的焊料向半导体元件浸润扩散，则可能招致半导体元件短路、绝缘不良等故障。因此，优选多余的焊料沿着导体部件浸润扩散。然而，如果导体部件的表面被焊料大范围覆盖，则导体部件与密封体之间的紧密结合性下降，从而例如半导体装置的耐久性可能下降。本说明书提供一种能够抑制这样的情况而提高半导体装置的耐久性的技术。

本说明书公开的半导体装置具备：半导体元件；密封体，密封半导体元件；以及导体部件，在密封体的内部经由焊料层与半导体元件接合。导体部件具有与焊料层接触的接合面和从接合面的周缘延伸的侧面。在侧面设置有非粗糙化区域、和与非粗糙化区域相比表面粗糙度较大的粗糙化区域。并且，非粗糙化区域与接合面的周缘相邻。

在上述半导体装置中，在导体部件的侧面设置有粗糙化区域和非粗糙化区域。粗糙化区域的表面粗糙度大，因此焊料的浸润性低。因此，在将半导体元件与导体部件之间焊接时，多余的焊料主要沿着非粗糙化区域浸润扩散，另一方面，向粗糙化区域的浸润扩散被抑制。由此，避免了导体部件的表面被焊料大范围覆盖，提高了半导体装置的耐久性。除此之外，未被焊料覆盖的粗糙化区域的表面粗糙度大，因此能够与密封体牢固地结合。通过改善导体部件与密封体之间的紧密结合性，进一步提高了半导体装置的耐久性。

附图说明

图1是示出实施例1的半导体装置10的外观的俯视图。

图2是沿着图1中的II-II线的剖视图。

图3示出导体间隔件20的侧面32。

图4示出导体间隔件20的接合面30。

图5是示出实施例2的半导体装置110的外观的俯视图。

图6是沿着图5中的VI-VI线的剖视图。

图7示出实施例2的第二导体板119的凸出部120的侧面132。

图8示出实施例2的第二导体板119的凸出部120的接合面130。

图9是示出实施例3的半导体装置210的外观的俯视图。

图10是沿着图9中的X-X线的剖视图。

图11示出实施例3的第二导体板219的凸出部220的侧面232。

图12示出实施例3的第二导体板219的凸出部220的接合面230。

图13示出与实施例3的半导体装置210相关的一个变形例。

图14示出与实施例3的半导体装置210相关的一个变形例。

图15示出与实施例3的半导体装置210相关的一个变形例。

图16示出与实施例3的半导体装置210相关的一个变形例。

图17示出与实施例3的半导体装置210相关的一个变形例。