[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板通过使得导体化部分的宽度大于空白部分的宽度，且使得第一导体化区域与第二导体化区域接触的区域的宽度，等于导体化部分与空白部分的宽度的差值，导体化部分的宽度与空白部分的宽度的差值大于预设值，使得在空白部分被刻蚀时，导体化部分由于宽度大于空白部分，导体化部分仍然能够从空白部分两侧导通，第一导体化区域和第二导体化区域仍然能够导通，从而增大了源漏极与导体化部分的搭接面积，使得side contact达成率增大，从而使得GSD TFT正常工作，解决了现有GSD TFT存在源漏极层与IGZO搭接面积较小，导致side contact成功率较低，导致GSD TFT良率较低的技术问题。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

现有GSD TFT(Gate，Source，Drain one Layer Thin Film Transistor，栅极、源极、漏极位于同一层的薄膜晶体管)由于相较于现有的顶栅型薄膜晶体管少了一次金属成膜/光刻/蚀刻及层间绝缘层，降低成本，被广泛应用于显示器件中，但在GSD TFT中，由于GSD的材料为低阻抗金属，无法使用干刻形成，在进行湿刻时，金属蚀刻液会与IGZO(indiumgallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)有源层接触，导致IGZO被腐蚀，从而影响到源漏极与IGZO的导通，因此GSD TFT中源漏极与IGZO导通主要是依靠side contact，即边缘连接实现，但由于side contact路径有限，需要依靠IGZO导体化时内部扩散实现，但IGZO导体化的扩散能力有限，使得会出现无法形成side contact，从而导致源漏极与IGZO无法导通的问题，使得GSD TFT无法正常工作。

所以，现有GSD TFT存在源漏极层与IGZO搭接面积较小，导致side contact成功率较低，导致GSD TFT良率较低的技术问题。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，用以解决现有GSD TFT存在源漏极层与IGZO搭接面积较小，导致side contact成功率较低，导致GSD TFT良率较低的技术问题。

本申请实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括：

衬底；

有源层，设置于所述衬底上；所述有源层包括第一导体化区域和第二导体化区域，所述第一导体化区域包括导体化部分和空白部分；

栅极绝缘层，设置于所述有源层上，所述栅极绝缘层刻蚀形成有过孔；

金属层，设置于所述栅极绝缘层上，所述金属层图案化形成有源极、栅极和漏极，所述源极和漏极穿过所述过孔与所述有源层连接；

其中，在所述金属层图案化时，所述有源层被刻蚀形成有空白部分，在所述导体化部分与所述空白部分接触的区域，所述导体化部分的宽度大于所述空白部分的宽度，所述第一导体化区域和所述第二导体化区域接触，且所述第一导体化区域和所述第二导体化区域接触的区域的宽度，等于所述导体化部分与所述空白部分的宽度的差值，所述导体化部分的宽度与所述空白部分的宽度的差值大于预设值。

在一些实施例中，所述导体化部分包括与源极连接的第一导体化部分、以及与漏极连接的第二导体化部分，所述第一导体化部分的宽度大于空白部分的宽度，所述第二导体化部分的宽度等于所述空白部分的宽度。

在一些实施例中，所述导体化部分包括与源极连接的第一导体化部分、以及与漏极连接的第二导体化部分，所述第一导体化部分的宽度等于空白部分的宽度，所述第二导体化部分的宽度大于所述空白部分的宽度。

在一些实施例中，所述导体化部分包括与源极连接的第一导体化部分、以及与漏极连接的第二导体化部分，所述第一导体化部分的宽度大于空白部分的宽度，所述第二导体化部分的宽度大于所述空白部分的宽度。