[发明专利]一种高压功率半导体器件复合终端在审
| 申请号： | 202010409949.2 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN113675256A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 金锐;刘江;吴军民;高明超;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 功率 半导体器件 复合 终端 | ||
1.一种高压功率半导体器件复合终端，其特征在于，包括：元胞结构和位于所述元胞结构边缘的终端结构；
所述终端结构包括多个沟槽结构和多个半导体层(9)；所述沟槽结构底部具有场限环结构；所述多个半导体层(9)相间设置于所述沟槽结构间；
所述元胞结构包括沟槽栅结构，所述沟槽栅结构位于所述多个沟槽结构的一侧，所述沟槽栅结构与所述沟槽结构通过同步工艺制作。
2.根据权利要求1所述的复合终端，其特征在于，所述沟槽结构包括第一沟槽结构和第二沟槽结构；
所述第二沟槽结构位于所述终端结构内；所述第一沟槽结构位于所述元胞结构和终端结构之间；
所述第一沟槽结构和第二沟槽结构均包括：介质层(7)和多晶硅，所述多晶硅镶嵌于所述介质层(7)内。
3.根据权利要求2所述的复合终端，其特征在于，位于所述第一沟槽结构内的介质层(7)和多晶硅为多个；
所述第二沟槽结构为多个，且每个沟槽都具有介质层(7)和多晶硅。
4.根据权利要求2所述的复合终端，其特征在于，每个所述沟槽结构间设有半导体层(9)或多个所述沟槽结构间设有半导体层(9)；
所述半导体层(9)的一侧与所述沟槽结构连接或所述半导体层(9)的两侧均与相邻的沟槽结构连接。
5.根据权利要求2所述的复合终端，其特征在于，所述场限环结构包括场限环(15)；所述场限环(15)位于所述第一沟槽结构和第二沟槽结构下端。
6.根据权利要求5所述的复合终端，其特征在于，所述多晶硅与所述半导体层(9)短接。
7.根据权利要求1所述的复合终端，其特征在于，所述终端结构还包括截止环(16)，所述截止环(16)位于所述沟槽栅结构相对的一侧。
8.根据权利要求1所述的复合终端，其特征在于，所述多个沟槽结构和所述沟槽栅结构的沟槽深度相同。
9.根据权利要求1所述的复合终端，其特征在于，所述多个沟槽结构之间的间距相等或不相等。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括硅、锗硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓、三氧化二镓或金刚石。
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