[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

重新分布层；

半导体芯片，位于重新分布层上；以及

模制层，覆盖半导体芯片的侧壁以及重新分布层的顶表面和侧壁，

其中，重新分布层的侧壁相对于重新分布层的底表面倾斜，并且

其中，模制层的侧壁与重新分布层的侧壁分隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，模制层的侧壁与重新分布层的侧壁之间的距离在向上的竖直方向上增大。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，重新分布层的侧壁与重新分布层的底表面之间的角度为锐角。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，重新分布层的侧壁与重新分布层的底表面之间的角度等于或大于45度且小于90度。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，模制层的边缘部分的底表面与重新分布层的底表面共面。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，重新分布层的侧壁的表面粗糙度比模制层的侧壁的表面粗糙度小。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，重新分布层包括多个侧壁，并且

其中，模制层围绕重新分布层的所述多个侧壁。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，模制层包括多个侧壁，并且

其中，重新分布层的所述多个侧壁与模制层的所述多个侧壁分隔开。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，模制层的所述多个侧壁中的每个侧壁面对重新分布层的所述多个侧壁中的对应的一个侧壁，并且

其中，模制层的所述多个侧壁中的每个侧壁与重新分布层的所述多个侧壁中的对应的一个侧壁之间的距离在向上的竖直方向上增大。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，重新分布层包括：

第一互连层；

第二互连层，位于第一互连层上；以及

芯片连接部，位于第二互连层与半导体芯片之间，

其中，重新分布层的底表面包括第一互连层的底表面，并且

其中，第一互连层的多个侧壁与第二互连层的多个侧壁共面。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，芯片连接部包括多个芯片连接部，并且

其中，模制层覆盖半导体芯片的底表面和所述多个芯片连接部的多个侧壁。

12.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

重新分布层；

半导体芯片，位于重新分布层上；以及

模制层，覆盖半导体芯片的顶表面并围绕半导体芯片的多个侧壁，

其中，模制层的边缘部分覆盖重新分布层的多个侧壁，并且

其中，重新分布层的所述多个侧壁中的每个侧壁与重新分布层的底表面形成倾斜锐角。

13.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，模制层的边缘部分的底表面与重新分布层的底表面共面。

14.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，倾斜锐角等于或大于45度且小于90度。

15.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，重新分布层包括：

第一互连层；

第二互连层，位于第一互连层上；以及

芯片连接部，位于第二互连层与半导体芯片之间，

其中，重新分布层的底表面包括第一互连层的底表面，并且

其中，重新分布层的底表面的宽度比重新分布层的顶表面的宽度大。