[发明专利]半导体封装件

说明书

提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括重新分布层、半导体芯片和模制层，半导体芯片位于重新分布层上，模制层覆盖半导体芯片的侧壁以及重新分布层的顶表面和侧壁。重新分布层的侧壁相对于重新分布层的底表面倾斜，并且模制层的侧壁与重新分布层的侧壁分隔开。

本专利申请要求于2019年8月21日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0102600号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用被完全包含于此。

技术领域

发明构思的实施例涉及一种半导体封装件，更具体地，涉及一种具有改善的可靠性的半导体封装件。

背景技术

集成电路芯片可以以半导体封装件的形式实现，以便适当地应用于电子产品。随着半导体芯片(或集成电路芯片)的集成密度的增加，会难以形成期望数量的互连线。为了克服这些限制，已经开发了晶圆级封装和面板级封装。为了半导体封装件的内部组件之间和/或半导体封装件之间的优异电连接，可能需要改善半导体封装件的可靠性。

发明内容

发明构思的实施例可以提供一种具有改善的可靠性的半导体封装件。

在一方面，一种半导体封装件可以包括重新分布层、半导体芯片和模制层，半导体芯片位于重新分布层上，模制层覆盖半导体芯片的侧壁以及重新分布层的顶表面和侧壁。重新分布层的侧壁可以相对于重新分布层的底表面倾斜，并且模制层的侧壁可以与重新分布层的侧壁分隔开。

在一方面，一种半导体封装件可以包括重新分布层、半导体芯片和模制层，半导体芯片位于重新分布层上，模制层覆盖半导体芯片的顶表面并围绕半导体芯片的多个侧壁。模制层的边缘部分可以覆盖重新分布层的多个侧壁。重新分布层的多个侧壁中的每个侧壁可以与重新分布层的底表面形成倾斜锐角。

在一方面，一种半导体封装件可以包括重新分布层、半导体芯片、多个焊料凸块、模制层和多个外部端子，半导体芯片位于重新分布层上，多个焊料凸块位于半导体芯片与重新分布层之间，模制层覆盖半导体芯片的多个侧壁和重新分布层的顶表面并围绕重新分布层的多个侧壁，多个外部端子位于重新分布层的底表面上。重新分布层的多个侧壁可以包括第一侧壁至第四侧壁。第一侧壁至第四侧壁可以与模制层的多个侧壁分隔开。重新分布层的底表面与第一侧壁至第四侧壁中的每个侧壁之间的角度可以是锐角。半导体芯片可以通过重新分布层电连接到多个外部端子。模制层的边缘部分的底表面可以与重新分布层的底表面共面。

附图说明

考虑到附图及附随的详细描述，发明构思将变得更清楚。

图1是示出根据发明构思的一些实施例的半导体封装件的平面图。

图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图。

图3是示出根据发明构思的一些实施例的用于制造半导体封装件的方法的平面图。

图4至图15是示出根据发明构思的一些实施例的用于制造半导体封装件的方法的剖视图。

具体实施方式

在整个说明书中，相同的附图标号或相同的附图标记可以表示相同的元件或组件。在下文中，将详细地描述根据发明构思的一些实施例的半导体封装件。

图1是示出根据发明构思的一些实施例的半导体封装件的平面图。图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图。

参照图1和图2，半导体封装件1可以包括重新分布层RDL、焊料凸块50、半导体芯片60、模制层70和外部端子80。

重新分布层RDL可以设置在半导体芯片60的底表面(或下表面)60b与外部端子80之间。重新分布层RDL可以包括第一互连层20、第二互连层30和芯片连接部40。尽管未在附图中示出，但是重新分布层RDL还可以包括多个互连层。