[发明专利]超高比表面积的纯单斜相纳米级二氧化锆粉体及制备方法有效
申请号: | 202010410716.4 | 申请日: | 2020-05-15 |
公开(公告)号: | CN111573728B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 王林芳;胡法卿;范宇升 | 申请(专利权)人: | 浙江金琨锆业有限公司 |
主分类号: | C01G25/02 | 分类号: | C01G25/02;B82Y30/00;C04B35/486;C04B35/626;B01J21/06;B01J32/00;B01J35/10 |
代理公司: | 杭州华知专利事务所(普通合伙) 33235 | 代理人: | 张德宝 |
地址: | 311228 浙江省杭州市萧*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超高 表面积 单斜 纳米 氧化锆 制备 方法 | ||
1.一种超高比表面积的纯单斜相纳米级二氧化锆粉体的制备方法,其特征在于,包括如下制备步骤:
S1:将水溶性锆盐溶于去离子水中并稀释至浓度为1~3mol/L,搅拌并超声至溶液澄清,制得酸性溶液A;
S2:配置与溶液A浓度相同的氢氧化钠溶液,并记为溶液B;
S3:将分散剂和去离子水混合、搅拌,并首次加入溶液B调节形成pH值为10的反应液,然后通过缓慢加入溶液A和溶液B调节反应液pH值为7~7.5,再次加入溶液B调节反应液pH值为9~10,搅拌30min~60min,制得浆料C;
S4:将步骤S3所得浆料C以去离子水洗涤至Na⁺含量低于10ppm;
S5:将步骤S4所得浆料C烘干至恒重,煅烧,制得煅烧粉;
S6:向煅烧粉中加入去离子水,混合,球磨,球磨后浆料滤出,烘干,研磨并过筛,制得超高比表面积的纯单斜相纳米级二氧化锆粉体;
所述步骤S3中所述分散剂为聚丙烯酸钠分散剂或聚丙烯酸铵分散剂;
所述步骤S5中烘干温度为120~150℃,煅烧温度为400~500℃,时间为3~6h,保温时间为6~10h;
所述步骤S6中所述煅烧粉的质量与去离子水的体积比为1:2,球磨时间为10~14h。
2.根据权利要求1所述的超高比表面积的纯单斜相纳米级二氧化锆粉体的制备方法,其特征在于:所述锆盐包括锆的硝酸盐、碳酸盐、氯盐、草酸盐、甲酸盐、乙酸盐或铵盐中的一种或几种。
3.根据权利要求2所述的超高比表面积的纯单斜相纳米级二氧化锆粉体的制备方法,其特征在于:所述锆盐包括硝酸锆、硝酸氧锆、碳酸锆、氯化锆、氧氯化锆、草酸锆、甲酸锆、醋酸锆、锆磷酸铵、碳酸锆铵。
4.根据权利要求1所述的超高比表面积的纯单斜相纳米级二氧化锆粉体的制备方法,其特征在于:步骤S6中所述超高比表面积的纯单斜相纳米级二氧化锆粉体的D50≤3μm,比表面积≥80m2/g,粉体晶粒粒径45nm。
5.根据权利要求1所述的超高比表面积的纯单斜相纳米级二氧化锆粉体的制备方法,其特征在于:步骤S3中分散剂和去离子水的体积比为1:20;缓慢加入溶液A和溶液B的加入速率比为VA :VB=1:2。
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