[发明专利]一种芯片物理防护电路及方法在审

专利信息
申请号: 202010411068.4 申请日: 2020-05-15
公开(公告)号: CN113204803A 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 卢君明;洪享 申请(专利权)人: 上海坚芯电子科技有限公司
主分类号: G06F21/75 分类号: G06F21/75
代理公司: 上海知信徽申专利代理事务所(普通合伙) 31428 代理人: 褚相武
地址: 200120 上海市浦东新区自由*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 物理 防护 电路 方法
【说明书】:

发明公开了一种芯片物理防护电路及方法,电路中N个移位寄存器形成串联结构;每个移位寄存器的Q端均连接一个反向器和一条顶层金属网线;每个异或门的输入连接反向器的输出和一条顶层金属网线的输出,异或门的输出连接与门的输入;每个异或非门的输入连接一条顶层金属网线的输出、反向器的输出和芯片关键工作信号;与门将N个异或门的输出相与后输入总锁存器的D端。本发明同一级的顶层金属网线和其输入信号的反进行异或,避免攻击者在每个异或门的输入端进行电路修补,导致检测失效;每一级顶层金属网线、其输入信号反与芯片内部工作信号进行异或非运算,避免被非法窃取正常数据。

技术领域

本发明属于电子电路领域,具体涉及一种芯片物理防护电路及方法。

背景技术

随着与个人信息相关电子产品的日益广泛应用,针对存储个人信息、隐私、密码等数据的芯片的安全设计技术逐步受到重视。由于芯片内的数据存储必须依赖与内部的物理介质,而针对这些芯片存储介质的一些物理攻击技术,也逐渐被一些非法攻击者掌握,使得芯片的安全性受到严重挑战。

目前一种有效的攻击方式是侵入式攻击:攻击者使用激光技术或者聚焦离子束(FIB:Focused Ion Beam)等方法和技术,将芯片的内部信号暴露到表面,使用探针技术,将信号引到接收设备上,然后攻击者就可以读取内部机密信息,或者将修改的数据注入芯片。

为了防止上述物理攻击,芯片设计厂商提出了版图保护电路的概念,即在有效电路的版图金属层次上,再增加一层防护层金属(Shield)和相关版图保护电路,该防护层的信号线受到持续的监控,一旦该信号被破坏,芯片会自动开启报警电路,实行电路自我毁坏,防止非法操控数据。

图1所示的是一个常用的版图保护电路结构,以8条顶层金属网线15结构为例,数据经8个锁存器1的Q端输出,如果某条顶层金属网线15受到破坏,则该网线对应通路上的锁存异或门2会输出“1”,经过或门3,校验位寄存器4的D端和Q端出现“1”信号,设计者常用该校验位寄存器4的Q信号来复位芯片,保护内部信息不被非法窃取。

由于芯片逆向技术的发展,以及攻击手段和技术的的进一步提升和更新,针对安全芯片的物理攻击技术的逐渐被非法攻击者掌握,使得这种版图保护电路的安全性受到严重挑战。针对图1这种版图保护电路结构,攻击者在分析清楚电路结构后,可以使用先进的激光技术或者FIB技术,进行实时修补电路,使版图保护电路失去保护功能,此后攻击者就可以随心所欲的将需要的芯片内部信号进行操控。图1所示的版图保护电路,攻击者只要采用先进FIB技术,将校验位寄存器4的D端或Q端,固定接到“0”上,则可以任意对顶层金属网线15进行破坏,而不影响到版图保护电路的校验位最终结果。

发明内容

鉴于以上存在的技术问题,本发明提供了一种适用于芯片的物理防护,避免非法攻击者采用简单的FIB技术,以较低的代价对芯片进行破坏,实现真正的对芯片防物理攻击。

采用如下的技术方案:

一种芯片物理防护单元,包括N个移位寄存器、N个反向器、N个异或门、N个异或非门、M个与门和总锁存器,其中,

前一个移位寄存器的Q端与下一个移位寄存器的D端连接,N个移位寄存器形成串联结构,排在首位的移位寄存器的D端输入数据;每个移位寄存器的Q端均连接一个反向器和一条顶层金属网线;每个异或门的输入连接反向器的输出和一条顶层金属网线的输出,异或门的输出连接与门的输入;每个异或非门的输入连接一条顶层金属网线的输出、反向器的输出和芯片关键工作信号,记为Ksig_i[i],i=0~N-1,异或非门的输出记为Ksig_o[i],i=0~N-1;所述与门将N个异或门的输出相与后输入所述总锁存器的D端,记为Check_D,总锁存器的Q端记为Check_Q。

优选地,输入不同异或门的顶层金属网线处于不同级电路。

优选地,所述顶层金属网线为乱序布线。

优选地,所述与门的输出与总锁存器的D端采用底层金属连线。

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