[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

层叠结构；以及

沟道结构，所述沟道结构穿过所述层叠结构，

其中，所述沟道结构包括穿过所述层叠结构的沟道层和围绕所述沟道层的存储器层，

所述层叠结构包括接触所述沟道层的源极选择栅极，并且

所述沟道层和所述源极选择栅极被配置为形成肖特基结。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

源极层，所述层叠结构位于所述源极层上。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，被包括在所述沟道层中的材料的功函数大于被包括在所述源极选择栅极中的材料的功函数。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述源极选择栅极包括铁Fe、铬Cr、钼Mo、铜Cu、钴Co、金Au、钯Pd、镍Ni、铂Pt、单硅化钴CoSi、单硅化镍NiSi、单硅化钨WSi和单硅化铂PtSi中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，在所述沟道层中形成接触所述源极选择栅极的耗尽区。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道层包括N型掺杂多晶硅。

7.根据利要求1所述的半导体存储器装置，

其中，所述层叠结构还包括接触所述沟道层的漏极选择栅极，并且

其中，所述沟道层和所述漏极选择栅极形成肖特基结。

8.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述源极层包括N型掺杂多晶硅。

9.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

层叠结构；以及

沟道结构，所述沟道结构穿过所述层叠结构，

其中，所述沟道结构包括穿过所述层叠结构的沟道层和围绕所述沟道层的存储器层，

所述层叠结构包括接触所述沟道层的漏极选择栅极，并且

所述沟道层和所述漏极选择栅极被配置为形成肖特基结。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

位线，所述位线电联接到所述沟道结构。

11.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述存储器层的顶部的水平低于所述漏极选择栅极的底部的水平。

12.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，

其中，所述层叠结构还包括彼此交替层叠的栅极图案和绝缘图案，并且

其中，所述漏极选择栅极在垂直方向上的长度大于所述栅极图案在所述垂直方向上的长度。

13.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，被包括在所述漏极选择栅极中的材料的功函数大于被包括在所述沟道层中的材料的功函数。

14.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中，所述漏极选择栅极包括铁Fe、铬Cr、钼Mo、铜Cu、钴Co、金Au、钯Pd、镍Ni、铂Pt、单硅化钴CoSi、单硅化镍NiSi、单硅化钨WSi和单硅化铂PtSi中的至少一种。

15.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，

其中，所述沟道结构还包括位于所述位线和所述沟道层之间的导电焊盘，并且

其中，所述导电焊盘包括N型掺杂多晶硅。