[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

开关元件；以及

续流二极管，其与所述开关元件并联连接，

所述开关元件在其表面之上具有与所述开关元件的主电极及控制电极绝缘的第1导电性图案，

所述续流二极管在其表面之上具有与所述续流二极管的主电极绝缘的第2导电性图案。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具有：

第1导线，其将所述开关元件的所述主电极与所述续流二极管的所述主电极连接；

第2导线，其将所述续流二极管的所述主电极与外部连接端子连接；以及

基准电位配线，其用于向驱动电路供给基准电位，该驱动电路向所述开关元件的所述控制电极输入控制电压。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述基准电位配线通过所述第1导电性图案而与所述续流二极管的所述主电极连接。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述基准电位配线通过串联连接的所述第1导电性图案及所述第2导电性图案而与所述外部连接端子连接。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

具有多个由所述开关元件与所述续流二极管形成的并联电路，

多个所述并联电路各自具有：

第1导线，其将所述开关元件的所述主电极与所述续流二极管的所述主电极连接；

第2导线，其将所述续流二极管的所述主电极与外部连接端子连接；以及

基准电位配线，其用于向驱动电路供给基准电位，该驱动电路向所述开关元件的所述控制电极输入控制电压，

就多个所述并联电路各自而言，所述基准电位配线通过以下方法中的任意方法与所述开关元件的所述主电极电连接：

(a)与所述开关元件的所述主电极直接连接；

(b)通过所述第1导电性图案而与所述续流二极管的所述主电极连接；

(c)通过所述第1导电性图案及所述第2导电性图案而与所述外部连接端子连接；以及

(d)通过外部配线而与所述外部连接端子连接。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，

具有传递模塑型的封装件。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，

所述开关元件是使用宽带隙半导体而形成的。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，

所述开关元件是IGBT或MOSFET。