[发明专利]半导体装置

说明书

提供能够抑制封装件的大型化，并且能够调整负反馈量的半导体装置。作为半导体装置的功率模块具有开关元件即IGBT(10)和续流二极管(FWD)(20)，该续流二极管与开关元件并联连接。IGBT(10)在其表面之上具有该IGBT(10)的发射极电极(11)及栅极电极(12)、与它们绝缘的导电性图案(13)。FWD(20)在其表面之上具有该FWD(20)的阳极电极(21)和与其绝缘的导电性图案(22)。

技术领域

本发明涉及半导体装置，特别地涉及电力用半导体装置。

背景技术

已知如下技术，即，就例如具有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等开关元件的电力用半导体装置而言，通过抑制在所连接的负载短路时流过集电极-发射极间的电流，从而保护开关元件不受过电流损害。

例如在下述专利文献1中，公开了具有将通过在IGBT的发射极配线流过电流而产生的电压降反馈至该IGBT的栅极的“负反馈电路”的半导体装置。就专利文献1的半导体装置而言，通过使对IGBT进行控制的驱动电路的基准电位配线与发射极配线连接而构成负反馈电路。另外，就专利文献1的半导体装置而言，在发射极配线的多个部位设置有用于对驱动电路的基准电位配线进行连接的端子，通过选择对基准电位配线进行连接的端子而进行负反馈量的调整。

另一方面，就传递模塑型半导体装置(功率模块)而言，如果为了构成负反馈电路而使驱动电路的基准电位配线的导线与续流二极管(FWD)连接，则存在基准电位配线与使IGBT的主电流流过的导线发生干涉的风险。为了防止上述这样的导线彼此的干涉，也可以另外设置用于对基准电位配线进行连接的引线框、配线基板，但产生功率模块的封装件大型化的问题。

例如在下述专利文献2中，作为防止导线彼此的干涉的技术，公开了如下技术，即，就具有多个开关元件的芯片的半导体装置而言，在各芯片的表面设置栅极配线用电极，经由其他芯片上的栅极配线而进行向远离驱动电路的位置处的芯片的配线。

专利文献1：日本特开2014-120563号公报

专利文献2：日本特开2013-125806号公报

如上所述，在使负反馈电路搭载于传递模塑型功率模块的情况下，封装件的大型化的抑制、以及用于得到所期望的负反馈功能的负反馈量的调整成为课题。

发明内容

本发明就是为了解决上述这样的课题而提出的，其目的在于提供能够抑制封装件的大型化、并且能够调整负反馈量的半导体装置。

本发明涉及的半导体装置具有：开关元件；以及续流二极管，其与所述开关元件并联连接，所述开关元件在其表面之上具有与所述开关元件的主电极及控制电极绝缘的第1导电性图案，所述续流二极管在其表面之上具有与所述续流二极管的主电极绝缘的第2导电性图案。

发明的效果

根据本发明涉及的半导体装置，在为了对负反馈量进行调整(负反馈效果的强弱的调整)而使驱动IC的基准电位配线的连接端与续流二极管的主电极、外部连接端子连接的情况下，通过第1导电性图案及第2导电性图案而进行该连接，由此能够防止基准电位配线的导线与其它导线发生干涉。因此，不需要另行引入用于防止导线彼此的干涉的引线框等，能够抑制半导体装置的大型化。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的功率模块的结构例的图。

图2是表示实施方式1涉及的功率模块的结构例的图。

图3是表示实施方式1涉及的功率模块的结构例的图。

图4是表示实施方式1涉及的功率模块的结构例的图。

图5是表示实施方式2涉及的功率模块的结构例的图。

标号的说明