[发明专利]晶片清洗机的控制方法及晶片清洗机

说明书

本发明实施例公开了一种晶片清洗机的控制方法及晶片清洗机，所述方法包括：检测晶片清洗机排风处的第一压差值和第一风速值，所述第一压差值为所述晶片清洗机排风处的内压与外压的差值；根据所述第一压差值、所述第一风速值、预设的基准压差值和预设的基准风速值，基于预设的控制模型，确定用于调整所述晶片清洗机过滤风机转速的第一控制量和用于调整所述晶片清洗机排风阀开合度的第二控制量；控制所述过滤风机基于所述第一控制量向所述晶片清洗机内输入气体，并控制所述排风阀的步进电机基于所述第二控制量调整所述排风阀开合度。通过本方法，可以通过对过滤风机和步进电机的控制，使晶片清洗机的气体环境处于稳定状态。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种晶片清洗机的控制方法及晶片清洗机。

背景技术

微环境是一个超洁净的小空间，与传统的洁净室不同之处在于它是将洁净空间置于晶片清洗机中，而不是将晶片清洗机放入洁净空间中，同时兼顾风速、压力等物理量的控制，对于晶片清洗机的微环境来说，除了要保证微环境的正压外，还要保证各个模块间气流的平衡。

为此常用的办法是在厂务排风压力稳定的前提下，通过手动调节各个模块的风机过滤单元(FanFilterUnit，FFU)的转速和排风阀门打开的大小来实现各个模块的气流平衡。为了达到上述目的，需要对每个模块的FFU风机转速和排风阀开度进行手动调节，并用仪器测量风速和压力的值，最终调节到各个模块平衡的状态，从而实现对微环境的控制。

但是，上述方案存在一些问题：首先，当厂务排风压力变化时或功能模块的排风管道堵塞时或FFU风机性能下降时，自身无法根据压力和风速的变化而对相应的FFU风机转速和排风阀开度进行调整，这样会导致压力和气流的不平衡，造成设备稳定性下降；其次，该方案使用手动调节，调节量常常是根据人的经验来定的，需要反复验证，效率低；最后，无法实现微环境风速压力的实时监控。因此，此方案存在控制效率低、准确性差，且无法实时对晶片清洗机的风力进行监控的问题，导致设备稳定性差。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种晶片清洗机的控制方法及晶片清洗机，以解决现有技术中存在的在对晶片清洗机的风量进行控制时，存在的控制效率低、控制准确性低的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供的一种晶片清洗机的控制方法，其特征在于，所述方法应用于晶片清洗机，所述晶片清洗机配置有过滤风机以及用于控制排风阀开合度的步进电机，所述过滤风机用于对输入到所述晶片清洗机的工艺槽的气体进行过滤，所述步进电机用于控制所述晶片清洗机的工艺槽内气体的输出量，所述方法包括：

检测晶片清洗机排风处的第一压差值和第一风速值，所述第一压差值为所述晶片清洗机排风处的内压与外压的差值；

根据所述第一压差值、所述第一风速值、预设的基准压差值和预设的基准风速值，基于预设的控制模型，确定用于调整所述晶片清洗机过滤风机转速的第一控制量和用于调整所述晶片清洗机排风阀开合度的第二控制量；

控制所述过滤风机基于所述第一控制量向所述晶片清洗机内输入气体，并控制所述排风阀的步进电机基于所述第二控制量调整所述排风阀开合度，以使所述晶片清洗机内部的气体环境保持稳定。

可选地，所述控制模型为通过多个不同的调节函数，并根据所述基准压差值和所述基准风速值，以及预定时间内的历史压差值、历史风速值、历史第一控制量和历史第二控制量进行参数训练确定的；