[发明专利]硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置

权利要求书

1.一种硬掩模，形成于在基板形成的对象膜之上，

所述硬掩模是将一个以上的具有第一方向的应力的第一膜和一个以上的具有与所述第一方向相反的第二方向的应力的第二膜交替地层叠而成的硬掩模。

2.根据权利要求1所述的硬掩模，其特征在于，

所述硬掩模相对于所述对象膜的选择比大于1。

3.根据权利要求1或2所述的硬掩模，其特征在于，

所述第一膜具有压缩应力，

所述第二膜具有拉伸应力。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的硬掩模，其特征在于，

所述第一膜为碳膜，

所述第二膜为钌膜。

5.根据权利要求4所述的硬掩模，其特征在于，

交替地层叠后的所述第一膜和所述第二膜中的最上层的膜为所述第一膜。

6.根据权利要求3至5中的任一项所述的硬掩模，其特征在于，

交替地层叠后的所述第一膜和所述第二膜中的最下层的膜为所述第一膜。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的硬掩模，其特征在于，

所述第一膜和所述第二膜构成为能够通过利用氧等离子体进行的灰化被从所述基板去除。

8.一种基板处理方法，包括以下工序：

准备形成有对象膜的基板；

在所述基板进行具有第一方向的应力的第一膜的成膜；

在所述基板进行具有与所述第一方向相反的第二方向的应力的第二膜的成膜；以及

重复进行所述第一膜的成膜的工序和进行所述第二膜的成膜的工序，来形成硬掩模。

9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，

所述硬掩模相对于所述对象膜的选择比大于1。

10.根据权利要求8或9所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第一膜具有压缩应力，

所述第二膜具有拉伸应力。

11.根据权利要求8至10中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第一膜为碳膜，

所述第二膜为钌膜。

12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，

交替地层叠后的所述第一膜和所述第二膜中的最上层的膜为所述第一膜。

13.根据权利要求10至12中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

交替地层叠后的所述第一膜和所述第二膜中的最下层的膜为所述第一膜。

14.根据权利要求8至13中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

进行所述第一膜的成膜的工序中的所述基板的温度与进行所述第二膜的成膜的工序中的所述基板的温度为相同的温度。

15.根据权利要求8至14中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

还包括通过利用氧等离子体进行的灰化来从所述基板去除所述第一膜和所述第二膜的工序。