[发明专利]硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置

说明书

本发明提供一种硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置，该硬掩膜进行了应力调整。所述硬掩模形成于在基板形成的对象膜之上，并且是通过将一个以上的具有第一方向的应力的第一膜和一个以上的具有与所述第一方向相反的第二方向的应力的第二膜交替地层叠而成的硬掩模。

技术领域

本公开涉及一种硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置。

背景技术

例如，已知将包含碳的硬掩模用作蚀刻掩模。

在专利文献1中公开了一种基板处理方法，其包括：在基板的处理面上沉积器件层；在器件层上沉积纳米晶金刚石层；将纳米晶金刚石层进行图案化并进行蚀刻；对器件层进行蚀刻来形成沟槽；以及将纳米晶金刚石层进行灰化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-224823号公报

发明内容

发明要解决的问题

在一个方面中，本公开提供一种进行了应力调整的硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题，根据一个方式，提供如下一种硬掩模：其形成于在基板形成的对象膜之上，并且是通过将一个以上的具有第一方向的应力的第一膜和一个以上的具有与所述第一方向相反的第二方向的应力的第二膜交替地层叠而成的硬掩模。

发明的效果

根据一个方面，能够提供一种进行了应力调整的硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置。

附图说明

图1是表示本实施方式所涉及的基板处理系统的一例的结构示意图。

图2是表示本实施方式所涉及的硬掩模形成装置的一例的概要截面图。

图3是表示本实施方式所涉及的前体蒸发装置的一例的概要截面图。

图4是表示本实施方式所涉及的基板处理系统的动作的一例的流程图。

图5是各工序中的基板的截面示意图。

图6是表示一个实施方式所涉及的硬掩模形成装置的动作的流程图。

图7是形成硬掩模时的各工序中的基板的截面示意图。

图8是参考例所涉及的形成有硬掩模的基板的截面示意图。

具体实施方式

下面，参照附图来说明用于实施本公开的方式。在各附图中，对相同的结构部分标注相同的标记，并且有时省略重复的说明。

基板处理系统

使用图1来说明本实施方式所涉及的基板处理系统100。图1是表示本实施方式所涉及的基板处理系统100的一例的结构示意图。

基板处理系统100具备硬掩模形成装置101、图案形成装置102、蚀刻装置103、灰化装置104、搬送装置105～107以及控制装置108。

硬掩模形成装置101为在形成于基板W的处理面的对象膜210(参照后述的图5的(a))之上形成硬掩模220(参照后述的图5的(b))的装置。此外，在后文中叙述硬掩模形成装置101的详情。