[发明专利]一种AuNWs@PB纳米复合材料及修饰电极的制备方法

权利要求书

1.一种AuNWs@PB纳米复合材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)制备种子：配制0.16-0.2mol/L的CTAB溶液、0.44-0.50mmol/L的HAuCl₄溶液、0.01mol/L的硼氢化钠溶液，取2mL CTAB和2mL HAuCl₄混合均匀，加入0.2mL硼氢化钠溶液，置于水浴锅中25-30℃水浴加热搅拌2h，得到金纳米线种子溶液；

(2)制备生长溶液：

取30mL、0.018-0.02mmol/L HAuCl₄溶液和30mL、0.08-0.1mol/L CTAB溶液混合，搅拌均匀；

(3)分别取5mL，5mL，45mL生长溶液于A，B，C三个样品瓶中，分别加入0.1mol/L的抗坏血酸溶液，直到溶液由黄色变为无色；

(4)取500μL金纳米线种子溶液加入A中，搅拌均匀；取A中500μL溶液加入B中，搅拌均匀；取B中5mL溶液加入C中搅拌均匀，将C样品瓶静置于水浴锅中25-30℃下保持12h；

(5)将反应后得到的溶液离心分离除去CTAB，收集沉淀，并将沉淀分散于超纯水中，得到金纳米线(AuNWs)；

(6)将AuNWs超声分散10-15min后，向其中加入0.1mol/L亚铁氰化钾溶液，继续超声分散20-30min，然后向其中加入0.1mol/L的氯化铁溶液保持超声分散25-35min，得到均匀分散的悬浮液，经离心、清洗，即得AuNWs@PB纳米复合材料。

2.一种AuNWs@PB纳米复合材料修饰电极的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)将裸玻碳电极在润湿的Al₂O₃粉末上打磨成镜面，用二次蒸馏水清洗，然后将处理的电极依次在无水乙醇、二次蒸馏水中超声清洗，再用二次蒸馏水淋洗，晾干待用；

(2)取10μL的权利要求1所述的AuNWs@PB纳米复合材料溶液，滴涂到处理好的裸玻碳电极表面，待水分挥发，即得。

3.根据权利要求2所述的一种AuNWs@PB纳米复合材料修饰电极的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的将玻碳电极在无水乙醇中用超声清洗的时间为50-80s，在超声清洗器中用二次蒸馏水清洗时间为60-70s。