[发明专利]像素单元和掩膜板有效
申请号: | 202010415228.2 | 申请日: | 2020-05-15 |
公开(公告)号: | CN111584585B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 周思思 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 单元 掩膜板 | ||
1.一种像素单元,其特征在于,包括衬底、以及阵列设置在所述衬底上的上层金属图案,以及与所述上层金属图案对应设置的下层金属图案,相对应的所述上层金属图案与所述下层金属图案通过接触孔连接;
所述上层金属图案同层制备,所述下层金属图案中至少有一功能金属图案与其他金属图案位于不同膜层,连接该功能金属图案的接触孔孔深不同于其他接触孔的孔深;
其中,较大孔深的接触孔的最大设计孔径,大于孔深较小的接触孔的最大设计孔径,使得不同孔深的接触孔与所述下层金属图案的接触面积趋于相同,所述下层金属图案包括有源层、第一金属层、第二金属层,所述上层金属图案包括源漏极金属层,所述源漏极金属层通过第一接触孔与所述有源层触接形成第一接触面,所述源漏极金属层通过第二接触孔与所述第一金属层触接形成第二接触面,所述源漏极金属层通过第三接触孔与所述第二金属层触接形成第三接触面,所述第一接触面和所述第二接触面的面积相同,所述第二接触面的面积大于所述第三接触面的面积,其中,所述第一接触面材料的电阻率和所述第二接触面材料的电阻率相同,所述第二接触面材料的电阻率大于所述第三接触面材料的电阻率,使得所述第一接触面、所述第二接触面、所述第三接触面处的阻抗相同。
2.如权利要求1所述的像素单元,其特征在于,在层间绝缘层的同一高度处,所述第一接触孔的横截面面积大于所述第二接触孔的横截面面积,所述第二接触孔的横截面面积大于所述第三接触孔的横截面面积。
3.如权利要求1所述的像素单元,其特征在于,所述第一接触面、所述第二接触面、所述第三接触面的形状均相同,所述形状为矩形、圆形、菱形中的任一种。
4.如权利要求1所述的像素单元,其特征在于,所述第一接触面、所述第二接触面、所述第三接触面形状均不同。
5.一种掩膜板,其特征在于,用于形成如权利要求 1至4任一项所述的像素单元,所述掩膜板包括主体、以及设置在所述主体上的第一通孔、第二通孔、第三通孔,所述第一通孔对应形成第一接触孔,所述第二通孔对应形成第二接触孔,所述第三通孔对应形成第三接触孔,其中,所述第一通孔的尺寸大于所述第二通孔的尺寸,所述第二通孔的尺寸大于所述第三通孔的尺寸。
6.如权利要求5所述的掩膜板,其特征在于,所述第一通孔的尺寸、所述第二通孔的尺寸、所述第三通孔的尺寸的值呈等差排布。
7.如权利要求5所述的掩膜板,其特征在于,所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔的形状均相同,所述形状为矩形、圆形、菱形中的任一种。
8.如权利要求5所述的掩膜板,其特征在于,所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔的形状均不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的