[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍部，在所述鳍部的侧壁上形成初始栅氧化层；

形成覆盖所述初始栅氧化层、所述鳍部以及所述半导体衬底的伪栅材料层；

刻蚀所述伪栅材料层以形成横跨所述鳍部的伪栅极，以及在所述伪栅极、所述初始栅氧化层与所述半导体衬底的夹角处形成有拐角；

移除所述鳍部的侧壁上的所述拐角在所述鳍部的投影区域以外的所述初始栅氧化层，以及移除所述鳍部的侧壁上的所述拐角在所述鳍部的投影区域内的部分所述初始栅氧化层，以形成初始栅氧化层余留部，且在所述拐角与所述鳍部之间形成凹陷区；

在所述伪栅极和所述鳍部的侧壁上、以及所述拐角的侧壁上形成侧墙；且形成于所述鳍部的侧壁上的所述侧墙延伸至所述凹陷区内；

在所述侧墙周侧的所述半导体衬底上形成介质层，及在所述鳍部的顶部形成外延层；

移除所述伪栅极、所述拐角以及所述初始栅氧化层余留部形成栅极沟槽；

在所述栅极沟槽内沉积栅极材料以形成栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在移除所述鳍部的侧壁上的所述拐角在所述鳍部的投影区域以外的所述初始栅氧化层的同时，还包括移除部分所述拐角。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，移除所述伪栅极和所述拐角，以及移除所述初始栅氧化层余留部的同时，还包括：

移除所述伪栅极覆盖的所述鳍部的侧壁上的所述初始栅氧化层。

4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在移除所述伪栅极覆盖的所述鳍部的侧壁上的所述初始栅氧化层之后，且在所述栅极沟槽内沉积金属材料层以形成栅极结构之前，还包括：

在所述栅极沟槽内暴露出的所述鳍部的侧壁上形成栅氧化层。

5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为10埃至100埃。

6.如权利要求1-5任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述外延层的材料为磷化硅或锗化硅。

7.如权利要求1-5任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述伪栅材料以形成横跨所述鳍部形成伪栅极包括：

在所述伪栅材料层上形成掩膜层和光刻胶图案；

通过所述光刻胶图案和所述掩膜层刻蚀所述伪栅材料层以形成所述伪栅极；

形成所述伪栅极后，还包括移除所述光刻胶图案和所述掩膜层。

8.如权利要求1-5任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀移除所述初始栅氧化层；或采用高选择性干法刻蚀工艺移除所述初始栅氧化层。

9.如权利要求1-5任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀或高选择比干法刻蚀移除所述拐角和所述初始栅氧化层余留部。

10.如权利要求1-5任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀移除所述伪栅极。

11.如权利要求1-5任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，根据所述拐角的大小确定移除的所述初始栅氧化层的量。

12.如权利要求1-5任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙的厚度为10埃至150埃。

13.如权利要求1-5任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述伪栅材料层由多晶硅材料形成。