[发明专利]半导体版图及其形成方法、形成的半导体结构及方法

权利要求书

1.一种半导体版图的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体初始版图，所述初始版图包括若干个分立的Device图形区域；所述半导体初始版图包括需要对准的对准层图形和位于所述对准层图形底部多层的底层结构层图形，所述对准层图形中包括位于Device图形区域内的对位标记图形，各对位标记图形包括一三象限对位子图形和二四象限对位子图形；

在多层的底层结构层图形中的至少相邻两层中设置保护层图形组，各保护层图形组包括上层单方向保护层图形和与上层单方向保护层图形正交的下层单方向保护层图形，上层单方向保护层图形位于一三象限对位子图形的底部且下层单方向保护层图形位于二四象限对位子图形的底部，或者，上层单方向保护层图形位于二四象限对位子图形的底部且下层单方向保护层图形位于一三象限对位子图形的底部。

2.根据权利要求1所述的半导体版图的形成方法，其特征在于，对于各对位标记图形中的一三象限对位子图形和二四象限对位子图形，所述一三象限对位子图形和所述二四象限对位子图形相互正交。

3.根据权利要求1所述的半导体版图的形成方法，其特征在于，对于相邻两层的对准层图形，位于上层的对准层图形中对位标记图形的一三象限对位子图形和位于下层的对准层图形中对位标记图形的一三象限对位子图形相互正交，位于上层的对准层图形中对位标记图形的二四象限对位子图形和位于下层的对准层图形中对位标记图形的二四象限对位子图形相互正交。

4.根据权利要求1所述的半导体版图的形成方法，其特征在于，各保护层图形组中上层单方向保护层图形的特征尺寸和与上层单方向保护层图形同层的底层结构层图形的特征尺寸一致；各保护层图形组中下层单方向保护层图形的特征尺寸和与下层单方向保护层图形同层的底层结构层图形的特征尺寸一致。

5.根据权利要求1所述的半导体版图的形成方法，其特征在于，当上层单方向保护层图形位于一三象限对位子图形的底部且下层单方向保护层图形位于二四象限对位子图形的底部时，对于底层的对位标记图形中的一三象限对位子图形和与底层的对位标记图形相邻的上层单方向保护层图形，底层的对位标记图形中的一三象限对位子图形与上层单方向保护层图形正交。

6.根据权利要求1所述的半导体版图的形成方法，其特征在于，当上层单方向保护层图形位于二四象限对位子图形的底部且下层单方向保护层图形位于一三象限对位子图形的底部时，对于底层的对位标记图形中的二四象限对位子图形和与底层的对位标记图形相邻的上层单方向保护层图形，底层的对位标记图形中二四象限对位子图形与上层单方向保护层图形正交。

7.根据权利要求1所述的半导体版图的形成方法，其特征在于，当保护层图形组的数量大于或等于2时，对于相邻的两个保护层图形组，一个保护层图形组中的上层单方向保护层图形与另一个保护层图形组中的上层单方向保护层图形相互正交，一个保护层图形组中的下层单方向保护层图形与另一个保护层图形组中的下层单方向保护层图形正交。

8.根据权利要求1所述的半导体版图的形成方法，其特征在于，在多层的底层结构层图形中的至少相邻两层中设置保护层图形组的过程包括：在多层的底层结构层图形中获取满足特征配置条件的底层结构层图形作为特征底层结构层图形，所述特征底层结构层图形的层数为至少两层；在至少两层的特征底层结构层图形中设置保护层图形组。

9.根据权利要求8所述的半导体版图的形成方法，其特征在于，当特征底层结构层图形的层数为2N层或者2N+1层时，在多层的特征底层结构层图形中从上至下设置n个保护层图形组，n个保护层图形组从上至下包括第一保护层图形组至第n保护层图形组，第k保护层图形组包括第k上层单方向保护层图形和第k下层单方向保护层图形；其中，n小于或等于N，N为大于或等于1的正整数，k大于或等于1且小于或等于n。