[发明专利]CMOS工艺上实现低温度系数电压及电流的参考源电路

权利要求书

1.一种CMOS工艺上实现低温度系数电压及电流的参考源电路，包括P沟道增强型MOS管PM1-PM3，N沟道耗尽型MOS管NM1、NM2、NM5，N沟道增强型MOS管NM3、NM4、NM6-NM10，电阻R1-R9，可修调的熔丝T1-T6，电容C1，控制电路端口，VIN输入端口、VR电压输出端口和IR电流输出端口，其特征在于：

所述N沟道耗尽型MOS管NM1漏极连接VIN输入端口，栅极源极连接N沟道耗尽型MOS管NM2漏极；所述N沟道耗尽型MOS管NM2漏极连接N沟道耗尽型MOS管NM1栅极源极，栅极源极连接N沟道增强型MOS管NM3的栅极漏极、N沟道耗尽型MOS管NM5栅极、N沟道增强型MOS管NM6栅极、电容C1一端；所述N沟道增强型MOS管NM3栅极漏极连接N沟道耗尽型MOS管NM2栅极漏极、N沟道耗尽型MOS管NM5栅极、N沟道增强型MOS管NM6栅极、电容C1一端，漏极连接N沟道增强型MOS管NM4栅极漏极；所述N沟道增强型MOS管NM4栅极漏极连接N沟道增强型MOS管NM3源极，源极接地；所述N沟道耗尽型MOS管NM5栅极连接N沟道耗尽型MOS管NM2栅极源极、N沟道增强型MOS管NM3漏极源极、N沟道增强型MOS管NM6栅极、电容C1一端，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极、P沟道增强型MOS管PM2、PM3栅极，源极连接N沟道增强型MOS管NM6漏极和N沟道增强型MOS管NM7栅极；所述N沟道增强型MOS管NM6栅极连接N沟道耗尽型MOS管NM2栅极源极、N沟道增强型MOS管NM3栅极漏极、N沟道耗尽型MOS管NM5栅极、电容C1一端，漏极连接N沟道耗尽型MOS管NM5源极、N沟道增强型MOS管NM7栅极，源极连接电阻R1一端、电阻R6一端和P沟道增强型MOS管PM2漏极；所述N沟道增强型MOS管NM7栅极连接控制电路输出端，漏极连接N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM10、NM11的源极，源极接地；所述N沟道增强型MOS管NM8栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、电阻R10一端、N沟道耗尽型MOS管NM9、NM10、NM11栅极，漏极连接电阻R7的另一端，源极连接N沟道增强型MOS管NM7漏极和N沟道耗尽型MOS管NM9、NM10、NM11源极；所述N沟道耗尽型MOS管NM9栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、电阻R10一端、N沟道增强型MOS管NM8、NM10、NM11栅极，漏极连接电阻R8的另一端，源极连接N沟道增强型MOS管NM7漏极和N沟道增强型MOS管NM8、NM10、NM11源极；所述N沟道耗尽型MOS管NM10栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、电阻R10一端、N沟道增强型MOS管NM8、NM10、NM11栅极，漏极连接电阻R9的另一端，源极连接N沟道增强型MOS管NM7漏极和N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM11源极；所述N沟道耗尽型MOS管NM11栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、电阻R10一端、N沟道增强型MOS管NM8、NM10、NM11栅极，漏极连接IR电流输出端，源极连接N沟道增强型MOS管NM7漏极和N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM10源极；

所述P沟道增强型MOS管PM1源极连接VIN输入端口，栅极漏极连接P沟道增强型MOS管PM2、PM3栅极，N沟道耗尽型MOS管NM5漏极；所述P沟道增强型MOS管PM2源极连接VIN输入端口，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极、PM3栅极和N沟道耗尽型MOS管NM5漏极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM6源极、电阻R1一端和电阻R6一端；所述P沟道增强型MOS管PM3源极连接VIN输入端口，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极、PM2栅极和N沟道耗尽型MOS管NM5漏极，漏极连接电阻R10一端、N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM10和NM11的栅极；其中P沟道增强型MOS管PM1-PM3构成电流镜结构，起镜像电流的作用；

所述电阻R1的一端连接N沟道增强型MOS管NM6源极、P沟道增强型MOS管PM2漏极和电阻R6一端，电阻R1的另一端连接电阻R2一端和可修调的熔丝T1一端；所述电阻R2的一端连接电阻R1另一端、可修调的熔丝T1另一端，电阻R2的另一端连接电阻R3的一端和可修调的熔丝T2一端；所述电阻R3的一端连接电阻R2另一端、可修调的熔丝T1另一端和可修调的熔丝T2一端，电阻R3的另一端连接电阻R4的一端、可修调的熔丝T2另一端和可修调的熔丝T3一端；所述电阻R4的一端连接电阻R3另一端、可修调的熔丝T2另一端和可修调的熔丝T3一端，电阻R4的另一端连接电阻R4的一端和可修调的熔丝T3一端；所述电阻R5的一端连接电阻R4另一端和可修调的熔丝T3另一端，电阻R5的另一端接地；所述电阻R6的一端连接N沟道增强型MOS管NM6源极、P沟道增强型MOS管PM2漏极和电阻R1一端，电阻R6的另一端连接VR输出端口；所述电阻R7的一端连接可修调的熔丝T4另一端，电阻R7的另一端连接N沟道增强型MOS管NM8漏极；所述电阻R8的一端连接可修调的熔丝T5另一端，电阻R8的另一端连接N沟道耗尽型MOS管NM9漏极；所述电阻R9的一端连接可修调的熔丝T6另一端，电阻R9的另一端连接N沟道耗尽型MOS管NM10漏极；所述电阻R10的一端连接P沟道增强型MOS管PM3漏极和N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM10、NM11的栅极，电阻R10的另一端连接可修调的熔丝T4、T5、T6一端；所述电容C1的一端连接N沟道耗尽型MOS管NM2栅极源极、N沟道增强型MOS管NM3漏极栅极、N沟道耗尽型MOS管NM5栅极和N沟道增强型MOS管NM6栅极，电容C1的另一端接地；

所述可修调的熔丝T1一端连接电阻R1另一端和电阻R2一端，另一端连接电阻R2另一端、电阻R3一端和可修调的熔丝T2一端；所述可修调的熔丝T2一端连接可修调的熔丝T1另一端、电阻R2另一端和电阻R3一端，另一端连接电阻R3另一端、电阻R4一端和可修调的熔丝T3一端；所述可修调的熔丝T3一端连接可修调的熔丝T2另一端、电阻R3另一端和电阻R4一端，另一端连接电阻R4另一端、电阻R5一端；所述可修调的熔丝T4一端连接电阻R10另一端和可修调的熔丝T5、T6一端，另一端连接电阻R7一端；所述可修调的熔丝T5一端连接电阻R10另一端和可修调的熔丝T4、T6一端，另一端连接电阻R8一端；所述可修调的熔丝T6一端连接电阻R10另一端和可修调的熔丝T4、T5一端，另一端连接电阻R9一端；所述控制电路输出端连接N沟道增强型MOS管NM7栅极；其中通过改变可修调的熔丝T1、T2、T3的通断来改变电阻R1、R2、R3接入电阻R1和R5之间关系，进一步调整电阻R5支路上电流的大小，从而调整达到电阻R6一端的电压值，VR输出端的电压也就做出调整；通过改变可修调的熔丝T1、T2、T3的通断来改变接入N沟道增强型MOS管NM8-NM11构成的电流镜的输入电流的大小。